SI2304DDS-T1-GE3晶體管FET
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聯(lián)系人 胡海玲

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型號(hào) SI2304DDS-T1-GE3
品牌 INFINEON(英飛凌)
封裝 SOT23
環(huán)保類別 無鉛環(huán)保型
安裝方式 貼片式
包裝方式 卷帶編帶包裝
數(shù)量 100000
商品介紹


SI2304DDS-T1-GE3 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品   晶體管  FET MOSFET  單 (百分百原裝現(xiàn)貨 優(yōu)勢(shì)供應(yīng))

制造商: Vishay

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  無鉛環(huán)保  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-23-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 3.6 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 60 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V

Qg-柵極電荷: 6.7 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.7 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: TrenchFET

系列: SI2  

晶體管類型: 1 N-Channel  

商標(biāo): Vishay / Siliconix  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 11 S  

下降時(shí)間: 5 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時(shí)間: 12 ns  

工廠包裝數(shù)量: 3000  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 10 ns  

典型接通延遲時(shí)間: 5 ns  

零件號(hào)別名: SI2304DDS-GE3  

單位重量: 8 mg  



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公司名稱 深圳市川藍(lán)電子科技有限公司
聯(lián)系賣家 胡海玲 (QQ:2801615837)
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地址 廣東省深圳市