

深圳市川藍(lán)電子科技有限公司
主營產(chǎn)品: 消費(fèi)電子, 工業(yè)控制, 汽車電子, LED, 能源控制, 家用電器, 通訊網(wǎng)絡(luò)
SI2304DDS-T1-GE3晶體管FET
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深圳市川藍(lán)電子科技有限公司
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所在地區(qū)
廣東省深圳市
主營產(chǎn)品

SI2304DDS-T1-GE3 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 FET MOSFET 單 (百分百原裝現(xiàn)貨 優(yōu)勢(shì)供應(yīng))
制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 無鉛環(huán)保
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 3.6 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 60 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
Qg-柵極電荷: 6.7 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.7 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: TrenchFET
系列: SI2
晶體管類型: 1 N-Channel
商標(biāo): Vishay / Siliconix
正向跨導(dǎo) - 最小值: 11 S
下降時(shí)間: 5 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 12 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 10 ns
典型接通延遲時(shí)間: 5 ns
零件號(hào)別名: SI2304DDS-GE3
單位重量: 8 mg
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