IRLR8729TRPBF     MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.9mOhms 10nC

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS:  無鉛環(huán)保  

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-252-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 58 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 11.9 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.35 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

Qg-柵極電荷: 10 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 55 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

高度: 2.3 mm  

長度: 6.5 mm  

晶體管類型: 1 N-Channel  

類型: HEXFET Power MOSFET  

寬度: 6.22 mm  

商標(biāo): Infineon Technologies  

正向跨導(dǎo) - 最小值: 91 S  

下降時間: 10 ns  

產(chǎn)品類型: MOSFET  

上升時間: 47 ns  

工廠包裝數(shù)量: 2000  

子類別: MOSFETs  

典型關(guān)閉延遲時間: 11 ns  

典型接通延遲時間: 10 ns  

零件號別名: SP001569082  

單位重量: 4 g

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