本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：IGBT晶體管 RoHS：詳細信息 技術(shù)：Si 封裝/箱體：TO-247-3 安裝風(fēng)格：通孔 配置：單 集電極—發(fā)射極最大電壓VCEO：600 V 集電極—射極飽和電壓：2.15 V 正極/發(fā)射極最大電壓：20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流：40 A Pd-功率耗散：160 W IGBT晶體管最小工作溫度：-55 C IGBT晶體管最大工作溫度：+ 150 C 封裝：Tube 集電極最大連續(xù)電流Ic：20 A 高度：20.7毫米（最大） 長度：15.87毫米（最大） 寬度：5.31毫米（最大） 商標(biāo)：Infineon / IR 正極—射極漏泄電流：100 nA 產(chǎn)品類型：IGBT晶體管 工廠包裝數(shù)量：400 子類別：IGBT 零件號別名：IRG4PC40UDPBF SP001532594 單位重量：38 g 特性 UltrFast：優(yōu)化高工作頻率8-40KHZ在硬開關(guān)，>200KHZ在諧振模式 第四代IGBT設(shè)計提供了比第三代更緊湊的參數(shù)分布和更高的效率 IGBT與HEXFREDTM更快的用于橋接結(jié)構(gòu)的軟恢復(fù)反復(fù)線二極管 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-247AC封裝 好處 第四代IGBT提供了最高的可用效率IGBT優(yōu)化為特定的應(yīng)用條件六邊形二極管 的性能優(yōu)化與IGBT的最小化恢復(fù)特性需要更少/沒有冷卻的設(shè)計，是一個 ”完全代替“的等效行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的第三代IGBT 絕對最大額定值 Parameter Max. Units VCES Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 600 V IC @ TC = 25°C Continuous Collector Current 55 A IC @ TC = 100°C Continuous Collector Current 27 ICM Pulsed Collector Current CD 220 ILM Clamped Inductive Load Current 0 220 VGE Gate-to-Emitter Voltage 士 20 V EARV Reverse Voltage Avalanche Energy ® 170 mJ PD @ TC = 25°C Maximum Power Dissipation 200 W PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation 78 TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 150 °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (0.063 in. (1.6mm from case ) Mounting torque, 6-32 or M3 screw. 10 lbf•in (1.1N•m)