本公司營(yíng)ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國(guó)際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：通孔 封裝/箱體：TO-247-3 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個(gè)頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：150 V Id-連續(xù)直流電流：171 A Rds上漏源導(dǎo)通電阻：4.8毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：30 V Vgs th-柵源極閾值電壓：3 V Qg-血漿甲醛：227 nC 最小工作溫度：-55 C 最大工作溫度：+ 175 C Pd-功率耗散：517 W 通道模式：增強(qiáng) 資質(zhì)：AEC-Q101 封裝：Tube 配置：?jiǎn)?高度：20.7毫米 長(zhǎng)度：15.87毫米 晶體管類型：1 N溝道 寬度：5.31毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 正向跨導(dǎo)-預(yù)期：162 S 下降時(shí)間：84 ns 產(chǎn)品類型：MOSFET 上升時(shí)間：119 ns 工廠包裝數(shù)量：400 子類別：MOSFET 典型關(guān)閉延遲時(shí)間：47 ns 典型起始延遲時(shí)間：27 ns 零件號(hào)別名：AUIRFP4568 SP001519624 單位重量：6 g 特征 先進(jìn)的平面技術(shù) 超低導(dǎo)通電阻 動(dòng)態(tài)dv / dt額定值 175°C工作溫度 快速切換 重復(fù)雪崩允許最大Tjmax 無(wú)鉛，符合RoHS 汽車合格* 描述 這款HEXFET®功率MOSFET專為汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)， 利用最新的處理技術(shù)，使每個(gè)硅面積的導(dǎo)通電阻極低。 此設(shè)計(jì)的其他功能是175°C的結(jié)溫，快速的開關(guān) 速度和改進(jìn)的重復(fù)雪崩額定值。 這些功能相結(jié)合， 使該設(shè)計(jì)成為一種非常有效且可靠的器件，可用于汽車應(yīng)用以及各種其他應(yīng)用。 最大絕對(duì)額定值 Symbol Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 171 A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 121 IDM Pulsed Drain Current  684 PD @TC = 25°C Maximum Power Dissipation 517 W Linear Derating Factor 3.45 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 30 V EAS Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ‚ 763 mJ IAR Avalanche Current  See Fig.14,15, 22a, 22b A EAR Repetitive Avalanche Energy „ mJ dv/dt Peak Diode Recovery dv/dtƒ 18.5 V/ns TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) 300 Mounting torque, 6-32 or M3 screw 10 lbf•in (1.1N•m)