本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：SMD / SMT 封裝/箱體：TO-252-3 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：40 V Id-連續(xù)直流電流：340 A Rds漏源導(dǎo)通電阻：1.4毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Qg-萘甲酸：160 nC 最大工作溫度：+ 175 C Pd-功率耗散：380 W 資質(zhì)：AEC-Q101 封裝：Tube 配置：單 高度：2.3毫米 長度：6.5毫米 晶體管類型：1 N溝道 寬度：6.22毫米 商標：Infineon / IR 產(chǎn)品類型：MOSFET 工廠包裝數(shù)量：1000 子類別：MOSFET 零件號別名：AUIRFS3004 SP001522180 單位重量：4 g 特征 先進的工藝技術(shù) 超低導(dǎo)通電阻 175°C工作溫度 快速切換 重復(fù)雪崩允許最大Tjmax 無鉛，符合RoHS 汽車合格* 描述 這款HEXFET®功率MOSFET專為汽車應(yīng)用而設(shè)計， 利用最新的處理技術(shù)，使每個硅面積的導(dǎo)通電阻極低。 此設(shè)計的其他功能是175°C的結(jié)溫，快速的開關(guān) 速度和改進的重復(fù)雪崩額定值。 這些功能相結(jié)合， 使該設(shè)計成為一種非常有效且可靠的器件， 可用于汽車應(yīng)用以及各種其他應(yīng)用。 最大絕對額定值 Symbol Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) 340 A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) 240 ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited) 195 IDM Pulsed Drain Current ‚ 1310 PD @TC = 25°C Maximum Power Dissipation 380 W Linear Derating Factor 2.5 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V dv/dt Peak Diode Recovery „ 4.4 V/ns EAS Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ƒ 300 mJ IAR Avalanche Current ‚ See Fig.14,15, 22a, 22b A EAR Repetitive Avalanche Energy ‚ mJ TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) 300