本公司營ADI亞德諾、ST意法半導體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細信息 技術：Si 安裝風格：SMD / SMT 封裝/箱體：TO-252-3 晶體管極性：N溝道 MOSFET通道數(shù)量：1個頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：60 V Id-連續(xù)直流電流：110 A Rds上漏源導通電阻：4.2毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Vgs th-柵源極閾值電壓：3.7 V Qg-萘甲酸：88 nC 最小工作溫度：-55 C 最大工作溫度：+ 175 C Pd-功率耗散：160 W 商標名：StrongIRFET 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：單 高度：2.3毫米 長度：6.5毫米 晶體管類型：1 N溝道 寬度：6.22毫米 商標：Infineon / IR 正向跨導-對抗：110 S 下降時間：56 ns 產(chǎn)品類型：MOSFET 上升時間：76 ns 工廠包裝數(shù)量：800 子類別：MOSFET 典型關閉延遲時間：58 ns 典型起始延遲時間：12 ns 零件號別名：IRFS7540TRLPBF SP001571690 單位重量：4 g 應用 有刷電機驅動器應用 BLDC電機驅動器應用 電池供電的電路 半橋和全橋拓撲 同步整流器的應用 諧振模式電源 ORing和冗余電源開關 DC/ DC和AC / DC轉換器 DC/ AC逆變器 好處 改進了Gate，雪崩和動態(tài)dV / dt堅固性 全面表征的電容和雪崩SOA 增強的體二極管dV / dt和dI / dt能力 無鉛，符合RoHS 最大絕對額定值 Symbol Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 110 A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 80 IDM Pulsed Drain Current  430 PD @TC = 25°C Maximum Power Dissipation 160 W Linear Derating Factor 1.1 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) 300 Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw 10 lbf·in (1.1 N·m)