本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：SMD / SMT 封裝/箱體：SO-8 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個(gè)頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：30 V Id-連續(xù)直流電流：8.5 A Rds上漏源導(dǎo)通電阻：35毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Qg-血漿甲醛：38 nC Pd-功率耗散：2.5 W 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：單 高度：1.75毫米 長度：4.9毫米 晶體管類型：1 N溝道 寬度：3.9毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 產(chǎn)品類型：MOSFET 工廠包裝數(shù)量：4000 子類別：MOSFET 零件號別名：IRF7403TRPBF SP001559832 單位重量：540毫克 特征 •第五代技術(shù) •超低導(dǎo)通電阻 •N通道Mosfet •表面貼裝 •提供卷帶包裝 •動態(tài)dv / dt評級 •快速切換 •無鉛 描述 來自國際整流器公司的第五代HEXFET采用先進(jìn)的處理技術(shù)，以使每個(gè)硅面積的導(dǎo)通電阻盡可能低。這種優(yōu)勢與HEXFET功率MOSFET眾所周知的快速開關(guān)速度和堅(jiān)固耐用的器件設(shè)計(jì)相結(jié)合，為設(shè)計(jì)人員提供了一種非常有效的器件，可廣泛用于各種應(yīng)用中。 SO-8已通過定制的引線框架進(jìn)行了修改，以增強(qiáng)熱特性和多芯片能力，使其成為各種電源應(yīng)用的理想選擇。通過這些改進(jìn)，可以在一塊板子空間大大減少的應(yīng)用中使用多種設(shè)備。該封裝設(shè)計(jì)用于氣相，紅外或波峰焊技術(shù)。在典型的PCB安裝應(yīng)用中，功耗可能大于0.8W。 最大絕對額定值 Parameter Max. Units ID @ TA = 25°C 10 Sec. Pulsed Drain Current, VGS @ 10V 9.7 A ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 8.5 ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 5.4 IDM Pulsed Drain Current CD 34 PD @TA = 25°C Power Dissipation 2.5 W Linear Derating Factor 0.02 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage 士20 V dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt 0 5.0 V/ns TJ, TSTG Junction and Storage Temperature Range -55 to + 150 °C