本公司營ADI亞德諾、ST意法半導體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細信息 技術：Si 安裝風格：通孔 封裝/箱體：TO-220-3 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：75 V Id-連續(xù)直流電流：89 A Rds上漏源導通電阻：9.4毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Qg-血漿甲醛：71 nC Pd-功率耗散：170 W 封裝：Tube 配置：單 高度：15.65毫米 長度：10毫米 晶體管類型：1 N溝道 寬度：4.4毫米 商標：Infineon Technologies 產(chǎn)品類型：MOSFET 工廠包裝數(shù)量：1000 子類別：MOSFET 零件號別名：IRF2807ZPBF SP001574688 單位重量：6 g 特征 •先進的工藝技術 •超低導通電阻 •動態(tài)dv / dt評級 •175°C工作溫度 •快速切換 •重復雪崩允許最大Tjmax •無鉛 描述 這款HEXFET®功率MOSFET利用最新的處理技術， 使每個硅面積的導通電阻極低。 此設計的其他功 能是175°C的結(jié)溫，快速的開關速度和改進的重 復雪崩額定值。 這些功能相結(jié)合，使該設計成為 一種非常有效和可靠的設備，可用于多種應用。 最大絕對額定值 Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) 89 A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (See Fig. 9) 63 ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited) 75 IDM Pulsed Drain Current CD 350 PD @TC = 25°C Maximum Power Dissipation 170 W Linear Derating Factor 1.1 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V EAS Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) Q) 160 mJ EAS (tested) Single Pulse Avalanche Energy Tested Value 0 200 IAR Avalanche Current CD See Fig.12a,12b,15,16 A EAR Repetitive Avalanche Energy ® mJ TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting torque, 6-32 or M3 screw 10 lbf•in (1.1N•m)