本公司營(yíng)ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國(guó)際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：SMD / SMT 封裝/箱體：TSOP-6 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個(gè)頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：20 V Id-連續(xù)直流電流：6.5 A 漏源導(dǎo)通電阻：30 mOhms Vgs-克羅地亞-源極電壓：12 V Vgs th-柵源極閾值電壓：1.2 V Qg-萘甲酸：15 nC 最小工作溫度：-55 C 最大工作溫度：+ 150 C Pd-功率耗散：2 W 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：?jiǎn)?高度：1.1毫米 長(zhǎng)度：3 mm 晶體管類型：1 N溝道 寬度：1.5毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 正向跨導(dǎo)-對(duì)抗：13 S 下降時(shí)間：16 ns 產(chǎn)品類型：MOSFET 上升時(shí)間：11 ns 工廠包裝數(shù)量：3000 子類別：MOSFET 典型關(guān)閉延遲時(shí)間：36 ns 典型起始延遲時(shí)間：8.5 ns 零件號(hào)別名：IRLMS2002TRPBF SP001567202 單位重量：20毫克 特征 •超低導(dǎo)通電阻 •N溝道MOSFET •表面貼裝 •提供卷帶包裝 •2.5V額定 •無鉛 描述 這些來自國(guó)際整流器公司的N溝道MOSFET利用先進(jìn) 的處理技術(shù)來實(shí)現(xiàn)每硅面積極低的導(dǎo)通電阻。 這一 好處為設(shè)計(jì)人員提供了一種非常高效的設(shè)備，可用 于電池和負(fù)載管理應(yīng)用。 Micro6™封裝及其定制的引線框架可生產(chǎn)HEXFET® 功率MOSFET，其RDS（on）比類似尺寸的SOT-23 小60％。 該封裝非常適合印刷電路板空間非常寶貴 的應(yīng)用。 與SOT-23相比，它獨(dú)特的散熱設(shè)計(jì)和 RDS（on）降低使電流處理能力提高了近300％。 最大絕對(duì)額定值 Parameter Max. Units VDS Drain- Source Voltage 20 V ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V 6.5 A ID @ TA= 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V 5.2 IDM Pulsed Drain Current CD 20 PD @TA = 25°C Power Dissipation 2.0 w PD @TA = 70°C Power Dissipation 1.3 Linear Derating Factor 0.016 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 12 V TJ, TSTG Junction and Storage Temperature Range -55 to + 150 °C