本公司營(yíng)ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國(guó)際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：SMD / SMT 封裝/箱體：SO-8 晶體管極性：P-Channel 通道數(shù)量：1個(gè)頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：20 V Id-連續(xù)直流電流：15 A Rds上漏源導(dǎo)通電阻：8.2毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：12 V Qg-血漿甲醛：87 nC Pd-功率耗散：2.5 W 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：?jiǎn)?高度：1.75毫米 長(zhǎng)度：4.9毫米 晶體管類型：1 P通道 寬度：3.9毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 產(chǎn)品類型：MOSFET 工廠包裝數(shù)量：4000 子類別：MOSFET 零件號(hào)別名：IRF7425TRPBF SP001555316 單位重量：540毫克 特征 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的引腳排列SO-8封裝 與現(xiàn)有的表面貼裝技術(shù)兼容 符合RoHS，無(wú)鹵素 MSL1，消費(fèi)者資格 好處 多廠商兼容性 易于制造 環(huán)保 可靠性更高 最大絕對(duì)額定值 Parameter Max. Units VDS Drain- Source Voltage -20 V ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V -15 A ID @ TA= 70°C Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V -12 IDM Pulsed Drain Current CD -60 PD @TA = 25°C Power Dissipation Gl 2.5 w PD @TA = 70°C Power Dissipation Gl 1.6 Linear Derating Factor 20 mW/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 12 V TJ, TSTG Junction and Storage Temperature Range -55 to + 150 °C 熱阻 Parameter Max. Units RqJA Maximum Junction-to-AmbientGl 50 °C/W 雪崩特性 Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current (Body Diode) ––– ––– -2.5 A MOSFET symbol D S showing the integral reverse G ISM Pulsed Source Current (Body Diode) CD ––– ––– -60 p-n junction diode. VSD Diode Forward Voltage ––– ––– -1.2 V TJ = 25°C, IS = -2.5A, VGS = 0V 0 trr Reverse Recovery Time ––– 120 180 ns TJ = 25°C, IF = -2.5A di/dt = -100A/μs 0 Qrr Reverse Recovery Charge ––– 160 240 nC