本公司營(yíng)ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國(guó)際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：SMD / SMT 封裝/箱體：PQFN-8 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個(gè)頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：30 V Id-連續(xù)直流電流：76 A Rds上漏源導(dǎo)通電阻：3.5毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Qg-萘甲酸：20 nC Pd-功率耗散：3.1 W 商標(biāo)名：StrongIRFET 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：?jiǎn)?高度：0.83毫米 長(zhǎng)度：6 mm 晶體管類(lèi)型：1 N溝道 寬度：5毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 濕度敏感性：是 產(chǎn)品類(lèi)型：MOSFET 工廠包裝數(shù)量：4000 子類(lèi)別：MOSFET 零件號(hào)別名：IRFH7934TRPBF SP001570924 應(yīng)用領(lǐng)域 •用于筆記本處理器電源的同步降壓轉(zhuǎn)換器的控制MOSFET •用于網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的控制MOSFET 好處 •在4.5V VGS時(shí)具有非常低的RDS（ON） •低門(mén)收費(fèi) •完全表征的雪崩電壓和電流 •100％經(jīng)過(guò)RG測(cè)試 •無(wú)鉛（符合260°C回流焊標(biāo)準(zhǔn)） •符合RoHS（無(wú)鹵素） •低熱阻 •大源頭引線，焊接更可靠 最大絕對(duì)額定值 Parameter Max. Units VDS Drain-to-Source Voltage 30 V VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 24 A ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 19 ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 76 IDM Pulsed Drain Current CD 190 PD @TA = 25°C Power Dissipation � 3.1 W PD @TA = 70°C Power Dissipation � 2.0 Linear Derating Factor � 0.025 W/°C TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 150 °C 熱阻 Parameter Typ. Max. Units RqJC Junction-to-Case ® ––– 2.9 °C/W RqJA Junction-to-Ambient � ––– 40