本公司營(yíng)ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國(guó)際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：SMD / SMT 封裝/箱體：SO-8 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個(gè)頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：150 V Id-連續(xù)直流電流：5.1 A Rds上漏源導(dǎo)通電阻：34毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V Qg-萘甲酸：25 nC 最小工作溫度：-55 C 最大工作溫度：+ 150 C Pd-功率耗散：2.5 W 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：?jiǎn)?高度：1.75毫米 長(zhǎng)度：4.9毫米 晶體管類型：1 N溝道 寬度：3.9毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 正向跨導(dǎo)-加速度：8.2 S 下降時(shí)間：8.3 ns 產(chǎn)品類型：MOSFET 上升時(shí)間：3.2 ns 工廠包裝數(shù)量：4000 子類別：MOSFET 典型關(guān)閉延遲時(shí)間：14 ns 典型起始延遲時(shí)間：8.4 ns 零件號(hào)別名：IRF7815TRPBF SP001551548 單位重量：506.600毫克 應(yīng)用領(lǐng)域 •用于筆記本處理器電源的同步MOSFET •用于網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的同步整流器MOSFET 好處 •VDS為10V時(shí)非常低的RDS（on） •低門收費(fèi) •全面表征雪崩電壓和電流 •20V VGS最大。 門額定值 最大絕對(duì)額定值 Parameter Max. Units VDS Drain-to-Source Voltage 150 V VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 5.1 A ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 4.1 IDM Pulsed Drain Current CD 41 PD @TA = 25°C Power Dissipation ® 2.5 W PD @TA = 70°C Power Dissipation ® 1.6 Linear Derating Factor 0.02 W/°C TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 150 °C 熱阻 Parameter Typ. Max. Units RqJL Junction-to-Drain Lead � ––– 20 °C/W RqJA Junction-to-Ambient ® ––– 50