本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：通孔 封裝/箱體：TO-247-3 晶體管極性：N溝道 MOSFET通道數(shù)量：1個頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：100 V Id-連續(xù)直流電流：72 A Rds漏源導(dǎo)通電阻：110毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Qg-萘甲酸：110 nC Pd-功率耗散：190 W 封裝：Tube 配置：單 高度：20.7毫米 長度：15.87毫米 晶體管類型：1 N溝道 寬度：5.31毫米 商標(biāo)：Infineon Technologies 產(chǎn)品類型：MOSFET 工廠包裝數(shù)量：400 子類別：MOSFET 零件號別名：IRFP4710PBF SP001575990 單位重量：38 g 應(yīng)用領(lǐng)域 •高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器 •電機控制 •不間斷電源 •無鉛 好處 •低的柵極到漏極電荷以減少開關(guān)損耗 •全面表征的電容，包括有效的COSS來簡化設(shè)計，（請參見應(yīng)用筆記AN1001） •完全表征的雪崩電壓和電流 最大絕對額定值 Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 72 A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 51 IDM Pulsed Drain Current CD 300 PD @TC = 25°C Power Dissipation 190 W Linear Derating Factor 1.2 W/°C VGS dv/dt Gate-to-Source Voltage Peak Diode Recovery dv/dt CT 土 20 8.2 V V/ns TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting torqe, 6-32 or M3 screw 10 lbf•in (1.1N•m) 熱阻 Parameter Typ. Max. Units RqJC Junction-to-Case 0.81 °C/W RqCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface 0.24 RqJA Junction-to-Ambient 40