本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：SMD / SMT 封裝/箱體：Micro-8 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個(gè)頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：20 V Id-連續(xù)直流電流：6.5 A Rds漏源導(dǎo)通電阻：30毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：12 V Qg-血漿甲醛：22 nC Pd-功率耗散：1.8 W 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：單 高度：1.11毫米 長度：3 mm 晶體管類型：1 N溝道 寬度：3毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 產(chǎn)品類型：MOSFET 工廠包裝數(shù)量：4000 子類別：MOSFET 零件號別名：IRF7607TRPBF SP001559966 特征 •風(fēng)口技術(shù) •超低導(dǎo)通電阻 •N溝道MOSFET •非常小的SOIC封裝 •薄型（<1.1mm） •提供卷帶包裝 •無鉛 描述 國際整流器公司（International Rectifier）推出的新型溝槽HEXFET®功率MOSFET利用先進(jìn)的處理技術(shù)，使每個(gè)硅面積的導(dǎo)通電阻極低。 這項(xiàng)優(yōu)勢與HEXFET功率MOSFET眾所周知的堅(jiān)固耐用的器件設(shè)計(jì)相結(jié)合，為設(shè)計(jì)人員提供了一種極其有效和可靠的器件，可廣泛用于各種應(yīng)用中。 新的Micro8™封裝的體積僅為標(biāo)準(zhǔn)SO-8的一半。 這使得Micro8成為印刷電路板空間非常寶貴的應(yīng)用的理想封裝。 Micro8的薄型（<1.1mm）將使其易于安裝在超薄應(yīng)用環(huán)境中，例如便攜式電子設(shè)備和PCMCIA卡。 最大絕對額定值 Parameter Max. Units VDS Drain- Source Voltage 20 V ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V 6.5 A ID @ TA= 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V 5.2 IDM Pulsed Drain Current CD 50 PD @TA = 25°C Power Dissipation 1.8 w PD @TA = 70°C Power Dissipation 1.2 Linear Derating Factor 0.014 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 12 V TJ, TSTG Junction and Storage Temperature Range -55 to + 150 °C