本公司營(yíng)ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國(guó)際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：SMD / SMT 封裝/箱體：TO-252-3 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個(gè)頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：100 V Id-連續(xù)直流電流：9.5 A Rds漏源導(dǎo)通電阻：200毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Qg-血漿甲醛：16.7 C Pd-功率耗散：47 W 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：?jiǎn)?高度：2.3毫米 長(zhǎng)度：6.5毫米 晶體管類型：1 N溝道 寬度：6.22毫米 商標(biāo)：Infineon Technologies 產(chǎn)品類型：MOSFET 工廠包裝數(shù)量：800 子類別：MOSFET 零件號(hào)別名：IRF520NSTRLPBF SP001551098 單位重量：4 g 特征 先進(jìn)工藝技術(shù) 表面安裝（IRF520NS） 低剖面通孔（RF520NL） 175°C工作溫度 快速切換 完全雪崩額定值 無(wú)鉛 描述 來(lái)自國(guó)際整流器的第五代HEXFET利用先進(jìn)的處理 技術(shù)實(shí)現(xiàn)了極低的單晶硅區(qū)導(dǎo)通電阻這一優(yōu)點(diǎn)， 結(jié)合HEXFET功率mosfet眾所周知的快速開(kāi)關(guān)速度 和加固的設(shè)備設(shè)計(jì)，為設(shè)計(jì)人員提供了一個(gè)極為 高效可靠的使用設(shè)備在廣泛的應(yīng)用中，D-pak是一 種表面安裝的動(dòng)力組件，能夠容納高達(dá)HEX-4的模 具尺寸。它提供了最高的功率能力和最低的可能的 電阻在任何現(xiàn)有的表面安裝包。D2pak可用于大電 流應(yīng)用，因?yàn)槠鋬?nèi)部連接電阻低，可消散多達(dá)2。在 典型的表面貼裝應(yīng)用中，通孔型（RF520NL）可用 于低剖面應(yīng)用。 最大絕對(duì)額定值 Parameter Max. Units ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 9.7 A ID @ TA = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 6.8 IDM Pulsed Drain Current CD 38 PD @TA = 25°C Power Dissipation 3.8 W Linear Derating Factor 0.32 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt ® 5.0 V/ns TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case )