本公司營(yíng)ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國(guó)際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：SMD / SMT 封裝/箱體：PQFN-6 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個(gè)頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：30 V Id-連續(xù)直流電流：19 A 漏源導(dǎo)通電阻：25 mOhms Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Vgs th-柵源極閾值電壓：2.35 V Qg-萘甲酸：4.2 nC 最小工作溫度：-55°C 最大工作溫度：+ 150 C Pd-功率耗散：2.1 W 通道模式：增強(qiáng) 封裝：剪切帶 封裝：MouseReel 封裝：Reel 配置：?jiǎn)?高度：0.9毫米 長(zhǎng)度：2 mm 晶體管類型：1 N溝道 類型：HEXFET功率MOSFET 寬度：2毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 正向跨導(dǎo)-預(yù)期：18 S 下降時(shí)間：5 ns 產(chǎn)品類型：MOSFET 上升時(shí)間：15 ns 工廠包裝數(shù)量：4000 子類別：MOSFET 典型關(guān)閉延遲時(shí)間：5.2 ns 典型起始延遲時(shí)間：5.9 ns 零件號(hào)別名：IRFHS8342TRPBF SP001556608 應(yīng)用領(lǐng)域 降壓轉(zhuǎn)換器的控制MOSFET 系統(tǒng)/負(fù)載開關(guān) 特征 低RDSon（16.0mΩ 低熱阻PCB（13°C / W） 薄型（1.0毫米） 與現(xiàn)有的表面貼裝技術(shù)兼容 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，不含鉛，溴化物和鹵素 MSL1，工業(yè)資格 好處 降低傳導(dǎo)損耗 實(shí)現(xiàn)更好的散熱 功率密度增加 易于制造 環(huán)保 可靠性更高 最大絕對(duì)額定值 Parameter Max. Units VDS Drain-to-Source Voltage 30 V VGS Gate-to-Source Voltage ±20 ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 8.8Q) A ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 7.1 ID @ TC(Bottom) = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 19Q) ID @ TC(Bottom)= 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 15Q) ID @ TC(Bottom) = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited) 8.5Q) IDM Pulsed Drain Current CD 76 PD @TA = 25°C Power Dissipation ® 2.1 W PD @TA = 70°C Power Dissipation ® 1.3 Linear Derating Factor ® 0.02 W/°C TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 150 °C