IRFHM8326TRPBF MOSFET -進(jìn)口原裝現(xiàn)貨
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IRFHM8326TRPBF-MOSFET--進(jìn)口原裝現(xiàn)貨

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聯(lián)系人 廖巧仙

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發(fā)貨地 廣東省深圳市
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商品參數(shù)
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商品介紹
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聯(lián)系方式
型號(hào) IRFHM8326TRPBF
品牌 IR
封裝 PQFN
環(huán)保類(lèi)別 無(wú)鉛環(huán)保型
安裝方式 貼片式
包裝方式 卷帶編帶包裝
數(shù)量 10000
商品介紹
本公司營(yíng)ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國(guó)際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商:Infineon 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET RoHS:詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD / SMT 封裝/箱體:PQFN-8 晶體管極性:N溝道 通道數(shù)量:1個(gè)頻道 Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續(xù)直流電流:19 A Rds漏源導(dǎo)通電阻:5.2毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓:20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.7 V Qg-血漿甲醛:29 nC 最小工作溫度:-55°C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:2.8 W 封裝:剪切帶 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:?jiǎn)?高度:0.9毫米 長(zhǎng)度:3.3毫米 晶體管類(lèi)型:1 N溝道 寬度:3.3毫米 商標(biāo):Infineon / IR 正向跨導(dǎo)-預(yù)期:70 S 下降時(shí)間:12 ns 產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET 上升時(shí)間:35 ns 工廠包裝數(shù)量:4000 子類(lèi)別:MOSFET 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:18 ns 典型起始延遲時(shí)間:12 ns 零件號(hào)別名:IRFHM8326TRPBF SP001570892 應(yīng)用領(lǐng)域 for用于筆記本電腦電池的充放電開(kāi)關(guān) 系統(tǒng)/負(fù)載開(kāi)關(guān) Buck降壓轉(zhuǎn)換器的同步MOSFET 特征 低熱阻PCB(<3.4°C / W) 薄型(<1.05毫米) 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳排列 與現(xiàn)有的表面貼裝技術(shù)兼容 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),不含鉛,溴化物和鹵素 MSL1,消費(fèi)者資格認(rèn)證 好處 實(shí)現(xiàn)更好的散熱 功率密度增加 多廠商兼容性 易于制造 環(huán)保 可靠性更高 最大絕對(duì)額定值 Parameter Max. Units VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 19 A ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 15 ID @ TC(Bottom) = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 70† ID @ TC(Bottom) = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 44† ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Source Bonding Technology Limited) 25‡ IDM Pulsed Drain Current  278 PD @TA = 25°C Power Dissipation … 2.8 W PD @TC(Bottom) = 25°C Power Dissipation … 37 Linear Derating Factor … 0.023 W/°C TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 150 °C
聯(lián)系方式
公司名稱(chēng) 深圳市凱斯宇科技有限公司
聯(lián)系賣(mài)家 廖巧仙 (QQ:956867351)
電話 䝑䝗䝏䝏-䝕䝐䝓䝑䝘䝏䝒䝔
手機(jī) 䝒䝐䝘䝕䝓䝘䝔䝓䝐䝓䝖
傳真 䝑䝗䝏䝏-䝓䝕䝕䝔䝓䝕䝒䝒
網(wǎng)址 http://www.szksykj.com/
地址 廣東省深圳市