本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：通孔 封裝/箱體：TO-220-3 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：40 V Id-連續(xù)直流電流：100 A Rds漏源導(dǎo)通電阻：9毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Qg-血漿甲醛：62 nC 最小工作溫度：-55°C 最大工作溫度：+ 175 C Pd-功率耗散：170 W 通道模式：增強 封裝：Tube 配置：單 高度：15.65毫米 長度：10毫米 晶體管類型：1 N溝道 類型：初步 寬度：4.4毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 下降時間：19 ns 產(chǎn)品類型：MOSFET 上升時間：114 ns 工廠包裝數(shù)量：1000 子類別：MOSFET 典型關(guān)閉延遲時間：28 ns 典型起始延遲時間：15 ns 零件號別名：IRF1104PBF SP001570050 單位重量：6 g 特征 先進的工藝技術(shù) 超低導(dǎo)通電阻 動態(tài)dv / dt額定值 175°C工作溫度 快速切換 完全雪崩等級 無鉛 描述 國際整流器公司的第五代HEXFET采用先進的處理技術(shù)，可實現(xiàn)每硅面積極低的導(dǎo)通電阻。 這項優(yōu)勢與HEXFET功率MOSFET眾所周知的快速開關(guān)速度和堅固耐用的器件設(shè)計相結(jié)合，為設(shè)計人員提供了一種非常有效和可靠的器件，可廣泛用于各種應(yīng)用中。 TO-220封裝普遍適用于所有功耗約為50瓦的商業(yè)工業(yè)應(yīng)用。 TO-220的低熱阻和低封裝成本有助于其在整個行業(yè)中的廣泛接受。 最大絕對額定值 Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 100 a: A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 71 IDM Pulsed Drain Current CD 400 PD @TC = 25°C Power Dissipation 170 W Linear Derating Factor 1.11 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage 土 20 V EAS Single Pulse Avalanche Energy0 350 mJ IAR Avalanche CurrentCD 60 A EAR Repetitive Avalanche EnergyCD 17 mJ dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt ® 5.0 V/ns TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting torque, 6-32 or M3 srew 10 lbf•in (1.1N•m)