本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：通孔 封裝/箱體：TO-220-3 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：200 V Id-連續(xù)直流電流：26 A 漏源導(dǎo)通電阻：25 mOhms Vgs-克羅地亞-源極電壓：30 V Qg-萘甲酸：73 nC 最小工作溫度：-40 C 最大工作溫度：+ 150 C Pd-功率耗散：46 W 通道模式：增強(qiáng) 封裝：Tube 配置：單 高度：15.65毫米 長度：10毫米 晶體管類型：1 N溝道 寬度：4.4毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 正向跨導(dǎo)-對抗：47 S 下降時間：29 ns 產(chǎn)品類型：MOSFET 上升時間：19 ns 工廠包裝數(shù)量：2000 子類別：MOSFET 典型關(guān)閉延遲時間：11 ns 典型起始延遲時間：17 ns 零件號別名：IRFI4227PBF SP001564096 單位重量：6 g 特征 先進(jìn)的工藝技術(shù) 針對PDP維持，能量回收和通道切換應(yīng)用優(yōu)化的關(guān)鍵參數(shù) 低EPULSE等級可減少PDP維持，能量回收和通行開關(guān)應(yīng)用中的功耗 低QG可快速響應(yīng) 高重復(fù)峰值電流能力，可確?？煽窟\行 下降和上升時間短，可實現(xiàn)快速切換 150°C的工作結(jié)溫可增強(qiáng)堅固性 重復(fù)性雪崩能力，具有強(qiáng)大的可靠性 描述 這款HEXFET®功率MOSFET專為Sustain設(shè)計。 等離子顯示面板 中的能量回收和通過開關(guān)應(yīng)用程序。 該MSFET利用最新的處理 技術(shù)來實現(xiàn)每硅面積的導(dǎo)通電阻低和EPULSE額定值低。 該MSFET 的其他特性是150°C的工作結(jié)溫和高重復(fù)峰值電流能力。 這些特性 相結(jié)合，使該MOSFET成為用于PDP驅(qū)動應(yīng)用的高效，穩(wěn)健和可靠的器件。 Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Max. Units VGS Gate-to-Source Voltage ± 30 V ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 26 A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 17 IDM Pulsed Drain Current  100 IRP @ TC = 100°C Repetitive Peak Current … 47 PD @TC = 25°C Maximum Power Dissipation 46 W PD @TC = 100°C Maximum Power Dissipation 18 Linear Derating Factor 0.37 W/°C TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -40 to + 150 °C Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) 300 Mounting torque, 6-32 or M3 screw 10 lbf•in (1.1N•m)