本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：通孔 封裝/箱體：TO-220-3 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個(gè)頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：100 V Id-連續(xù)直流電流：22 A Rds上漏源導(dǎo)通電阻：36毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Qg-萘甲酸：80 nC Pd-功率耗散：45 W 封裝：Tube 配置：單 高度：15.65毫米 長度：10毫米 晶體管類型：1 N溝道 寬度：4.4毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 產(chǎn)品類型：MOSFET 工廠包裝數(shù)量：2000 子類別：MOSFET 零件號別名：IRFI1310NPBF SP001566772 單位重量：6 g 特征 先進(jìn)的工藝技術(shù) 隔離包裝 高壓隔離= 2.5KVRMS 下沉到導(dǎo)致爬電距離。 = 4.8毫米 完全雪崩等級 無鉛 描述 國際整流器公司的第五代HEXFET采用先進(jìn)的處理技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)每硅面積極低的導(dǎo)通電阻。 這項(xiàng)優(yōu)勢與HEXFET功率MOSFET眾所周知的快速開關(guān)速度和堅(jiān)固耐用的器件設(shè)計(jì)相結(jié)合，為設(shè)計(jì)人員提供了一種非常有效和可靠的器件，可用于多種應(yīng)用 TO-220 Fullpak消除了工業(yè)應(yīng)用中對附加絕緣硬件的需求。 所使用的模塑料在接線片和外部散熱器之間具有較高的隔離能力和較低的熱阻。 這種隔離等效于對標(biāo)準(zhǔn)TO-220產(chǎn)品使用100微米的云母屏障。 使用單個(gè)夾子或通過單個(gè)螺釘固定將Fullpak安裝到散熱器上。 Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 24 A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 17 IDM Pulsed Drain Current † 140 PD @TC = 25°C Maximum Power Dissipation 56 W Linear Derating Factor 0.37 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V EAS Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ‚† 420 mJ IAR Avalanche Current † 22 A EAR Repetitive Avalanche Energy  5.6 mJ dv/dt Peak Diode Recovery dv/dtƒ† 5.0 V/ns TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) 300 Mounting torque, 6-32 or M3 screw 10 lbf•in (1.1N•m)