本公司營ADI亞德諾、ST意法半導體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細信息 技術：Si 安裝風格：通孔 封裝/箱體：TO-220-3 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：100 V Id-連續(xù)直流電流：18 A Rds上漏源導通電阻：52毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Qg-血漿甲醛：62.7 nC Pd-功率耗散：42 W 封裝：Tube 配置：單 高度：15.65毫米 長度：10毫米 晶體管類型：1 N溝道 寬度：4.4毫米 商標：Infineon Technologies 產(chǎn)品類型：MOSFET 工廠包裝數(shù)量：2000 子類別：MOSFET 零件號別名：IRFI540NPBF SP001566066 單位重量：6 g 特征 先進的工藝技術 隔離包裝 高壓隔離= 2.5KVRMS 下沉到導致爬電距離。 = 4.8毫米 完全雪崩等級 無鉛 描述 國際整流器公司的第五代HEXFET采用先進的處理技術，可實現(xiàn)每硅面積極低的導通電阻。 這項優(yōu)勢與HEXFET功率MOSFET眾所周知的快速開關速度和堅固耐用的器件設計相結合，為設計人員提供了一種非常有效和可靠的器件，可廣泛用于各種應用中。 TO-220 Full Pak消除了工業(yè)應用中對附加絕緣硬件的需求。 所使用的模塑料在接線片和外部散熱器之間具有較高的隔離能力和較低的熱阻。 這種隔離等效于對標準TO-220產(chǎn)品使用100微米的云母屏障。 Fullpak可使用單個夾子或通過單個螺釘固定安裝到散熱器。 Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 20 A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 14 IDM Pulsed Drain Current † 110 PD @TC = 25°C Maximum Power Dissipation 54 W Linear Derating Factor 0.36 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V EAS Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ‚† 300 mJ IAR Avalanche Current † 16 A EAR Repetitive Avalanche Energy  5.4 mJ dv/dt Peak Diode Recovery dv/dtƒ† 5.0 V/ns TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to + 175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) 300 Mounting torque, 6-32 or M3 screw 10 lbf•in (1.1N•m)