UMB10F作用 ASEMI整流橋UMB10F型號(hào) ASEMI首芯UMB10F堆 ASEMI
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UMB10F作用 ASEMI整流橋UMB10F型號(hào) ASEMI首芯UMB10F堆 ASEMI

UMB10F作用-ASEMI整流橋UMB10F型號(hào)-ASEMI首芯UMB10F堆

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強(qiáng)元芯電子(廣東)有限公司

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商品參數(shù)
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商品介紹
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品牌 ASEMI
型號(hào) 貼片整流橋全系列型號(hào)
封裝 貼片整流橋全系列封裝
批號(hào) 2019+
正向電流(If) 1A-2A
正向電壓(Vf) 50V-1000V
材料 GPP 硅芯片
工作溫度范圍 -50~150℃
應(yīng)用領(lǐng)域 智能家居
報(bào)價(jià)方式 按實(shí)際訂單報(bào)價(jià)為準(zhǔn)
產(chǎn)品編號(hào) 5615414
商品介紹

W10整流橋ASEMI首芯

ASEMI整流橋W10采用進(jìn)口GPP波峰芯片,由酸洗工藝向GPP工藝是二極管技術(shù)的一次重大改革,GPP芯片在穩(wěn)定性和壽命上有了極大的提高。使用的生產(chǎn)測(cè)試設(shè)備是臺(tái)灣健鼎全自動(dòng)一體化測(cè)試設(shè)備,36道檢測(cè)工序,12項(xiàng)參數(shù)測(cè)試,加嚴(yán)控制整流橋內(nèi)部四顆芯片的離散性(電壓,壓降,漏電等等)離散性的保障,可以保證成品整流橋的高可靠性和穩(wěn)定性。1V,正向電流、為1A,反向電壓為1000V,它的浪涌電流Ifsm為50A,漏電流為5uA、工作溫度在-55~+150℃,恢復(fù)時(shí)間達(dá)到500ns。




ASEMI整流橋RS407

ASEMI整流橋RS407封裝:RS-4。電性參數(shù)為:4A1000V,芯片采用GPP 制成。正向電流為4A,反向電壓為1000V,正向電壓達(dá)倒1.10V,工作溫度可到達(dá)-55 ℃ ~ 150 ℃。芯片達(dá)到60MIL。ABS10的生產(chǎn)采用臺(tái)灣健鼎測(cè)試線對(duì)Vb、Io、If、Vf等12個(gè)參數(shù)進(jìn)行檢測(cè),提高了ABS10的每一顆芯片的一致性和穩(wěn)定性。主要應(yīng)用于小電流領(lǐng)域產(chǎn)品:小功率開關(guān)電源,電源適配器,LED燈整流器,手機(jī)充電器,家用小電器等相關(guān)電器產(chǎn)品。




?ASEMI薄體整流橋GBJ1010

ASEMI薄體整流橋GBJ1010,臺(tái)灣ASEMI品牌,其電性參數(shù)為10A 1000V ,封裝為GBJ-4封裝,封裝采用優(yōu)*質(zhì)的黑膠PC材料組成,采用機(jī)器一次性澆注成型,阻燃性能好,強(qiáng)度高,能耐高溫,抗摔、抗擊打能力強(qiáng)。該整流橋的穩(wěn)定品質(zhì)性能得益于芯片的性能,芯片需經(jīng)過(guò)36道工序78道工藝,歷時(shí)108小時(shí)的老化試驗(yàn)后挑選出一致性誤差0.05% 范圍內(nèi)的芯片。不要小瞧這個(gè)數(shù)字,這將成為環(huán)保低能耗要求的高電源板的制勝法寶。各種嚴(yán)苛環(huán)境下的考驗(yàn)并且采用鍍金工藝包封讓芯片整體穩(wěn)定性得以保障,保證出廠率達(dá)99.99%。


GBJ1010臺(tái)灣ASEMI品牌,采用激光方式打標(biāo),印字清晰,不易磨損。激光打標(biāo)少污染,更環(huán)保,不退色,防止翻新;05V,采用GPP波峰大芯片,芯片尺寸都是加大到95MIL,它的浪涌電流Ifsm為200A,漏電流為500uA。黑膠材質(zhì)是采用進(jìn)口環(huán)氧塑脂材料,引腳厚度升級(jí);少污染,更環(huán)保,不褪色,防止翻新。包裝采用進(jìn)口牛皮環(huán)保盒,防靜電,易保存,可回收利用,耐壓耐磨抗沖擊強(qiáng)。GBKJ1010小包裝為500PCS/盒,大包裝為5K/箱,一箱共有10盒.



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公司名稱 強(qiáng)元芯電子(廣東)有限公司
聯(lián)系賣家 李絢 (QQ:800023533)
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地址 廣東省深圳市