產(chǎn)品屬性屬性值搜索類(lèi)似制造商:Micron Technology產(chǎn)品種類(lèi):NOR閃存安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SO-8系列:M25PE10存儲(chǔ)容量:1 Mbit最大時(shí)鐘頻率:75 MHz接口類(lèi)型:SPI組織:128 k x 8定時(shí)類(lèi)型:Synchronous數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit電源電壓-最小:2.7 V電源電壓-最大:3.6 V電源電流—最大值:12 mA最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel存儲(chǔ)類(lèi)型:NOR 速度:75 MHz 商標(biāo):Micron 產(chǎn)品類(lèi)型:NOR Flash 標(biāo)準(zhǔn):Not Supported 工廠包裝數(shù)量:2500 子類(lèi)別:Memory & Data StorageNAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案，這在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND正被證明極具吸引力。NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案，這在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND正被證明極具吸引力。EPROM是指其中的內(nèi)容可以通過(guò)特殊手段擦去，然后重新寫(xiě)入。其基本單元電路如下圖所示。常采用浮空柵雪崩注入式MOS電路，簡(jiǎn)稱為FAMOS。它與MOS電路相似，是在N型基片上生長(zhǎng)出兩個(gè)高濃度的P型區(qū)，通過(guò)歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。在源極和漏極之間有一個(gè)多晶硅柵極浮空在 絕緣層中，與四周無(wú)直接電氣聯(lián)接。這種電路以浮空柵極是否帶電來(lái)表示存1或者0，浮空柵極帶電后(例如負(fù)電荷)，就在其下面，源極和漏極之間感應(yīng)出正的導(dǎo)電溝道，使MOS管導(dǎo)通，即表示存入0.若浮空柵極不帶電，則不能形成導(dǎo)電溝道，MOS管不導(dǎo)通，即存入1。

EEPROM基本存儲(chǔ)單元電路的工作原理如圖2.2所示。與EPROM相似，它是在EPROM基本單元電路的浮空柵極的上面再生成一個(gè)浮空柵，前者稱為第一級(jí)浮空柵，后者稱為第二級(jí)浮空柵?？山o第二級(jí)浮空柵引出一個(gè)電極 NOR閃存  ，使第二級(jí)浮空柵極接某一電壓VG。若VG為正電壓，第一浮空柵極與漏極之間產(chǎn)生隧道效應(yīng)，使電子注入第一浮空柵極，即編程寫(xiě)入。若使VG為負(fù)電壓， NOR閃存  強(qiáng)使第一浮空柵極的電子散失，即擦除。擦除后可重新寫(xiě)入。

EEPROM單元結(jié)構(gòu)閃存的基本單元電路與EEPROM類(lèi)似，也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是第一層?xùn)沤橘|(zhì)很薄，作為隧道氧化層。寫(xiě)入方法與EEPROM相同，在第二級(jí)浮空柵加正電壓，使電子進(jìn)入第一級(jí)浮空柵。 NOR閃存  讀出方法與EPROM相同。擦除方法是在源極加正電壓利用第一級(jí)浮空柵與漏極之間的隧道效應(yīng)，將注入到浮空柵的負(fù)電荷吸引到源極。由于利用源極加正電壓擦除