ASEMIMBR10200FCT ASEMI MBR10200FCT肖特基二極管 應(yīng)用
ASEMIMBR10200FCT ASEMI MBR10200FCT肖特基二極管 應(yīng)用
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封裝 10A-60A肖特基二極管全系列封裝
批號 2019++
品牌 ASEMI
應(yīng)用領(lǐng)域 電工電氣
型號 10A-60A肖特基二極管
報價方式 按實際訂單報價為準(zhǔn)
工作溫度范圍 -40~170℃
材料 金屬&硅芯片
正向電流(If) 10A-60A
產(chǎn)品編號 5968746
商品介紹

ASEMI肖特基二極管?MBR20200FCT

編輯:LX

ASEMI肖特基二極管MBR20200FCT內(nèi)含兩個陰極相連的肖特基二極管,要組成橋需要兩個MBR20200FCT,其兩個交流輸入極要互相連接,在每次交流方向變化時,都會有兩個二極管在工作,利用二極管單向?qū)ǖ奶匦?,把方向不斷變化的電流變?yōu)橥环较?。?nèi)置102Mil大規(guī)格整流芯片;確保平均輸出20A的電流;反向耐壓值達(dá)到200V;正向壓降0.54V;編輯:LX臺灣ASEMI肖特基二極管MBR30100DC全部采用進(jìn)口高性能俄羅斯Mikron擴散高抗擊芯片,內(nèi)置122Mil大規(guī)格整流芯片。漏電流20ua;反向恢復(fù)時間5ns。高品質(zhì)的銅材質(zhì)鍍錫引腳與高品質(zhì)的SIO2塑封硅膠,臺資工廠封裝測試。引進(jìn)臺灣冠奎一體化生產(chǎn)測試線,確保每一批出貨都合格,是開關(guān)電源整流很好的選擇。



ASEMI低壓降肖特基二極管SB10100LFCT

ASEMI低壓降肖特基二極管SB10100LFCT采用的是ITO-220AB全塑封裝,SB10100LFCT采用進(jìn)口俄羅斯米克朗56mil雙芯片,高抗沖擊性能與一致性能提升40%以上。保證其參數(shù)可以達(dá)到:10A為正向整流,100V為反向耐電壓,150A峰值浪涌電流,0.54v正向壓降以及20UA漏電流。這款封裝很大優(yōu)勢在于絕緣性與阻燃性表現(xiàn)非常好。采用了環(huán)氧樹脂封裝材料,封裝強度高保障內(nèi)部芯片、焊片、框架,不氧化不碎裂不漏電。89V★芯片尺寸:150MIL★浪涌電流Ifsm:200A★是否進(jìn)口:否★漏電流(Ir):10UA★工作溫度:-50~125★恢復(fù)時間(Trr):<。




MBR10200FCT?ASEMI肖特基二極管MBR40100FCT

編輯:LX

ASEMI肖特基二極管期初目的是為提高電源效率,從而研制出了普通肖特基二極管;那么臺灣ASEMI半導(dǎo)體的是您明智的選擇,最適合自己的肖特基二極管,盡在臺灣ASEMI?,F(xiàn)如今,為充分發(fā)揮挖掘SKY的低VF效能而開發(fā)出的低壓降肖特基二極管。那我們今天在這里也認(rèn)識到了低壓降肖特基二極管,可謂升級版的低壓降肖特基二極管,超值特性、超低VF、高溫漏電小。

ASEMI肖特基二極管MBR40100FCT廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動器等電路,作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管使用。臺灣原裝 ASEMI肖特基二極管MBR40100FCT 采用俄羅斯Mikron芯片,28條臺灣健鼎測試線。編輯:LXASEMI品牌肖特基二極管系列MB10200FAC,電性參數(shù)為10A200V,芯片材質(zhì)采用原裝進(jìn)口俄羅斯Mikron芯片,內(nèi)含1個95MIL的大芯片,大芯片足10A的正向電流和0。電性參數(shù)為40A100V,內(nèi)含芯片個數(shù)有2個,芯片尺寸達(dá)130MIL.




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