蝕刻過程中應(yīng)注意的問題

1. 減少側(cè)蝕和突沿﹐提高蝕刻系數(shù)

側(cè)蝕會產(chǎn)生突沿。 通常印制板在蝕刻液中的時間越長, 側(cè)蝕的情況越嚴重。 側(cè)蝕將嚴 重影響印制導(dǎo)線的精度﹐ 嚴重的側(cè)蝕將不可能制作精細導(dǎo)線。 當側(cè)蝕和突沿降低時﹐蝕刻 系數(shù)就會升高﹐高蝕刻系數(shù)表示有保持細導(dǎo)線的能力﹐使蝕刻后的導(dǎo)線能接近原圖尺寸。蝕刻法與傳統(tǒng)的機械沖制方法相比，具有生產(chǎn)周期短（一般3天可以制造出產(chǎn)品），修改尺寸方便快捷的優(yōu)點。 無論是錫-鉛合金﹐錫﹐錫-鎳合金或鎳的電鍍蝕刻劑, 突沿過度時都會造成導(dǎo)線短路。

蝕刻過程中常見的問題

蝕刻速率降低 蝕刻速率降低與許多因素有關(guān), 故需要檢查蝕刻條件 (例如﹕溫度、 噴淋壓力、 溶 液比重、 PH 值和氯化銨的含量等)﹐使其達到適宜的范圍。 蝕刻溶液中出現(xiàn)沈淀 是由于氨的含量過低（PH 值降低）﹐或水稀釋溶液等原因造成的 (例如:冷卻系統(tǒng)漏 水等)。 溶液比重過高也會造成沈淀。 抗蝕鍍層被浸蝕 是由于蝕刻液 PH 值過低或 CL 含量過高所造成的。主要查采用掩膜、蝕刻后處理三步進行加工制做而成的凸字金屬標牌或凹字金屬標牌。 銅的表面發(fā)黑, 蝕刻不動 蝕刻液中 NH4CL 的含量過低所造成的。

光刻和蝕刻技術(shù)，用光膠、掩膜、和紫外光進行微制造，由薄膜沉積，光刻和蝕刻 三個工序組成。 ? 光刻前首先要在基片表面覆蓋一層薄膜，薄膜的厚度為數(shù)埃到幾十微米，稱為薄膜 沉積。然后在薄膜表面用甩膠機均勻地覆蓋上一層光膠，將掩膜上微流控芯片設(shè)計 圖案通過曝光成像的原理轉(zhuǎn)移到光膠層的工藝過程稱為光刻。 ? 光刻的質(zhì)量則取決于光抗蝕劑（有正負之分）和光刻掩膜版的質(zhì)量。掩膜的基本功 能是基片受到光束照射（如紫外光）時，在圖形區(qū)和非圖形區(qū)產(chǎn)生不同的光吸收和 透過能力。2、焊接前清除表面油污，減少焊縫形成的虛焊、氣孔、裂紋等缺陷。