內(nèi)存條是電腦必不可少的組成部分,CPU可通過(guò)數(shù)據(jù)總線(xiàn)對(duì)內(nèi)存尋址。歷史上的電腦主板上有主內(nèi)存,內(nèi)存條是主內(nèi)存的擴(kuò)展。電腦主板上沒(méi)有主內(nèi)存,CPU完全依賴(lài)內(nèi)存條,所有外存上的內(nèi)容必須通過(guò)內(nèi)存才能發(fā)揮作用。
內(nèi)存是電腦(PC機(jī)、單片機(jī))必不可少的組成部分,與可有可無(wú)的外存不同,內(nèi)存是以總線(xiàn)方式進(jìn)行讀寫(xiě)操作的部件;內(nèi)存決非僅僅是起數(shù)據(jù)倉(cāng)庫(kù)的作用。電腦上任何一種輸入(來(lái)自外存、鍵盤(pán)、鼠標(biāo)、麥克風(fēng)、掃描儀,等等)和任何一種輸出(顯示、打印、音像、寫(xiě)入外存,等等)無(wú)都是需要通過(guò)內(nèi)存才可以進(jìn)行。
那么內(nèi)存條在電腦里面的實(shí)際作用是什么呢?以下幾點(diǎn):
1.CPU與內(nèi)存條的關(guān)系。電腦運(yùn)行軟件和游戲的時(shí)候CPU也就是中央處理器會(huì)把所有的運(yùn)算分析數(shù)據(jù)放置在內(nèi)存條上進(jìn)行數(shù)據(jù)運(yùn)算分析,運(yùn)算完成后CPU再收回內(nèi)存條上的數(shù)據(jù),收回的數(shù)據(jù)CPU再發(fā)到其他硬件上去。
2.內(nèi)存條與硬盤(pán)之間的關(guān)系。硬盤(pán)與內(nèi)存條時(shí)時(shí)刻刻都保持密切的通訊,內(nèi)存條也稱(chēng)之為記憶內(nèi)存,“記憶”大家應(yīng)該都清楚,說(shuō)白了就是“記性-記憶了”,電腦運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生大量的緩存數(shù)據(jù)都會(huì)被記憶在內(nèi)存條里面,當(dāng)你點(diǎn)擊保存數(shù)據(jù)的時(shí)候才會(huì)由內(nèi)存條轉(zhuǎn)換到硬盤(pán)里面長(zhǎng)期儲(chǔ)存了。舉個(gè)例子:你畫(huà)圖的時(shí)候屏幕上面的圖形數(shù)據(jù)都會(huì)暫時(shí)被儲(chǔ)存記憶在內(nèi)存條上面,當(dāng)你保存圖形后你的圖紙數(shù)據(jù)都從內(nèi)存條上面?zhèn)鬏數(shù)接脖P(pán)上面進(jìn)行儲(chǔ)存轉(zhuǎn)移了。這也就是你沒(méi)有保存數(shù)據(jù)而重啟電腦后數(shù)據(jù)丟失的原因。
3.內(nèi)存條與整機(jī)的關(guān)系。內(nèi)存條說(shuō)白了就是電腦任何硬件之間的橋梁,任何硬件之間的牽線(xiàn)人,是CPU的直接溝通,任何硬件的工作運(yùn)算直接間接的都會(huì)依靠?jī)?nèi)存條平臺(tái)。
所以總結(jié)一下就是,內(nèi)存條容量越大、內(nèi)存虛擬空間就越大,CPU及其他硬件數(shù)據(jù)處理交換的速度就越快。
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電容器是儲(chǔ)存電量和電能(電勢(shì)能)的元件。一個(gè)導(dǎo)體被另一個(gè)導(dǎo)體所包圍,或者由一個(gè)導(dǎo)體發(fā)出的電場(chǎng)線(xiàn)全部終止在另一個(gè)導(dǎo)體的導(dǎo)體系,稱(chēng)為電容器。
兩個(gè)相互靠近的導(dǎo)體,中間夾一層不導(dǎo)電的絕緣介質(zhì),就構(gòu)成了電容器。當(dāng)電容器的兩個(gè)極板之間加上電壓時(shí),電容器就會(huì)儲(chǔ)存電荷。電容器的電容量在數(shù)值上等于一個(gè)導(dǎo)電極板上的電荷量與兩個(gè)極板之間的電壓之比。電容器的電容量的基本單位是法拉(F)。在電路圖中通常用字母C表示電容元件。
電容器在調(diào)諧、旁路、耦合、濾波等電路中起著重要的作用。晶體管收音機(jī)、CD唱機(jī)、錄音機(jī)的調(diào)諧電路要用到它,彩色電視機(jī)的耦合電路、旁路電路等也要用到它。
隨著電子信息技術(shù)的日新月異,數(shù)碼電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代速度越來(lái)越快,以平板電視(LCD和PDP)、筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)等產(chǎn)品為主的消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品產(chǎn)銷(xiāo)量持續(xù)增長(zhǎng),帶動(dòng)了電容器產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)。
電容器的主要參數(shù)有:
(1)標(biāo)稱(chēng)電容量,為標(biāo)志在電容器上的電容量。但電容器實(shí)際電容量與標(biāo)稱(chēng)電容量是有偏差的,精度等級(jí)與允許誤差有對(duì)應(yīng)關(guān)系。一般電容器常用I、Ⅱ、Ⅲ級(jí),電解電容器用Ⅳ、V、Ⅵ級(jí)表示容量精度,根據(jù)用途選取。電解電容器的容值,取決于在交流電壓下工作時(shí)所呈現(xiàn)的阻抗,隨著工作頻率、溫度、電壓以及測(cè)量方法的變化,容值會(huì)隨之變化。電容量的單位為F(法)。

電感器(Inductor)是能夠把電能轉(zhuǎn)化為磁能而存儲(chǔ)起來(lái)的元件。電感器的結(jié)構(gòu)類(lèi)似于變壓器,但只有一個(gè)繞組。電感器具有一定的電感,它只阻礙電流的變化。如果電感器在沒(méi)有電流通過(guò)的狀態(tài)下,電路接通時(shí)它將試圖阻礙電流流過(guò)它;如果電感器在有電流通過(guò)的狀態(tài)下,電路斷開(kāi)時(shí)它將試圖維持電流不變。電感器又稱(chēng)扼流器、電抗器、動(dòng)態(tài)電抗器。
原始的電感器是1831年英國(guó)M.法拉第用以發(fā)現(xiàn)電磁感應(yīng)現(xiàn)象的鐵芯線(xiàn)圈。1832年美國(guó)的J.亨利發(fā)表關(guān)于自感應(yīng)現(xiàn)象的論文。人們把電感量的單位稱(chēng)為亨利,簡(jiǎn)稱(chēng)亨。19世紀(jì)中期,電感器在電報(bào)、電話(huà)等裝置中得到實(shí)際應(yīng)用。1887年德國(guó)的H.R.赫茲,1890年美國(guó)N.特斯拉在實(shí)驗(yàn)中所用的電感器都是非常的,分別稱(chēng)為赫茲線(xiàn)圈和特斯拉線(xiàn)圈。
電感器一般由骨架、繞組、屏蔽罩、封裝材料、磁心或鐵心等組成。

晶體二極管,簡(jiǎn)稱(chēng)二極管(diode);它只往一個(gè)方向傳送電流的電子零件。它是一種具有1個(gè)零件號(hào)接合的2個(gè)端子的器件,具有按照外加電壓的方向,使電流流動(dòng)或不流動(dòng)的性質(zhì)。晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的PN結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí),由于PN 結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。
半導(dǎo)體二極管主要是依靠PN結(jié)而工作的。與PN結(jié)不可分割的點(diǎn)接觸型和肖特基型,也被列入一般的二極管的范圍內(nèi)。包括這兩種型號(hào)在內(nèi),根據(jù)PN結(jié)構(gòu)造面的特點(diǎn),把晶體二極管分類(lèi)如下:
根據(jù)構(gòu)造分類(lèi):
⒈點(diǎn)接觸型二極管
點(diǎn)接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后,再通過(guò)電流法而形成的。因此,其PN結(jié)的靜電容量小,適用于高頻電路。但是,與面結(jié)型相比較,點(diǎn)接觸型二極管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大電流和整流。因?yàn)闃?gòu)造簡(jiǎn)單,所以?xún)r(jià)格便宜。對(duì)于小信號(hào)的檢波、整流、調(diào)制、混頻和限幅等一般用途而言,它是應(yīng)用范圍較廣的類(lèi)型。
⒉鍵型二極管
鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接金或銀的細(xì)絲而形成的。其特性介于點(diǎn)接觸型二極管和合金型二極管之間。與點(diǎn)接觸型相比較,雖然鍵型二極管的PN結(jié)電容量稍有增加,但正向特性特別優(yōu)良。多作開(kāi)關(guān)用,有時(shí)也被應(yīng)用于檢波和電源整流(不大于50mA)。在鍵型二極管中,熔接金絲的二極管有時(shí)被稱(chēng)金鍵型,熔接銀絲的二極管有時(shí)被稱(chēng)為銀鍵型。
⒊合金型二極管
在N型鍺或硅的單晶片上,通過(guò)合金銦、鋁等金屬的方法制作PN結(jié)而形成的。正向電壓降小,適于大電流整流。因其PN結(jié)反向時(shí)靜電容量大,所以不適于高頻檢波和高頻整流。
⒋擴(kuò)散型二極管
在高溫的P型雜質(zhì)氣體中,加熱N型鍺或硅的單晶片,使單晶片表面的一部變成P型,以此法PN結(jié)。因PN結(jié)正向電壓降小,適用于大電流整流。
⒌臺(tái)面型二極管
PN結(jié)的制作方法雖然與擴(kuò)散型相同,但是,只保留PN結(jié)及其必要的部分,把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現(xiàn)面形,因而得名。初期生產(chǎn)的臺(tái)面型,是對(duì)半導(dǎo)體材料使用擴(kuò)散法而制成的。因此,又把這種臺(tái)面型稱(chēng)為擴(kuò)散臺(tái)面型。對(duì)于這一類(lèi)型來(lái)說(shuō),似乎大電流整流用的產(chǎn)品型號(hào)很少,而小電流開(kāi)關(guān)用的產(chǎn)品型號(hào)卻很多。
⒍平面型二極管
在半導(dǎo)體單晶片(主要地是N型硅單晶片)上,擴(kuò)散P型雜質(zhì),利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅單晶片上僅選擇性地?cái)U(kuò)散一部分而形成的PN結(jié)。因此,不需要為調(diào)整PN結(jié)面積的藥品腐蝕作用。由于半導(dǎo)體表面被制作得平整,故而得名。并且,PN結(jié)合的表面,因被氧化膜覆蓋,所以公認(rèn)為是穩(wěn)定性好和壽命長(zhǎng)的類(lèi)型。初,對(duì)于被使用的半導(dǎo)體材料是采用外延法形成的,故又把平面型稱(chēng)為外延平面型。對(duì)平面型二極管而言,似乎使用于大電流整流用的型號(hào)很少,而作小電流開(kāi)關(guān)用的型號(hào)則很多。
⒎合金擴(kuò)散型二極管
它是合金型的一種。合金材料是容易被擴(kuò)散的材料。把難以制作的材料通過(guò)巧妙地?fù)脚潆s質(zhì),就能與合金一起過(guò)擴(kuò)散,以便在已經(jīng)形成的PN結(jié)中獲得雜質(zhì)的恰當(dāng)?shù)臐舛确植?。此法適用于制造高靈敏度的變?nèi)荻O管。
⒏外延型二極管
用外延面長(zhǎng)的過(guò)程制造PN結(jié)而形成的二極管。制造時(shí)需要非常高超的技術(shù)。因能隨意地控制雜質(zhì)的不同濃度的分布,故適宜于制造高靈敏度的變?nèi)荻O管。
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