東莞市大嶺山展立五金模具加工廠主營(yíng)：鍍鈦,沖棒鍍鈦,鍍鈦加工

鍍鈦工藝有：真空鍍膜和噴涂工藝等

真空鍍膜包括：磁控濺射法，電弧離子鍍法等，如果在鍍膜過(guò)程中通入氮?dú)饪梢孕纬傻?，鍍層顏色金黃色，否則白色。該方法鍍層薄，一般在15個(gè)微米左右，鍍層光亮不需要后續(xù)加工。噴涂的方法有冷噴涂法。涂層很厚可以達(dá)到毫米量級(jí)，表面粗糙需要后續(xù)加工。

  1、PVD涂層耐腐蝕，而且化學(xué)性能十分的穩(wěn)定

 2、PVD涂層擁有良好的抗酸性

 3、PVD涂層在常規(guī)的環(huán)境下不褪色，不會(huì)失去光澤

 4、PVD涂層正常情況下不容易褪色

 5、PVD涂層在強(qiáng)烈的陽(yáng)光下，都不會(huì)失去光澤，不氧化，不會(huì)失去光澤

 6、PVD涂層在正常的使用情況下不會(huì)破損

PVD技術(shù)不僅提高了薄膜與刀具基體材料的結(jié)合強(qiáng)度，涂層成分也由代的TiN發(fā)展為T(mén)iC、TiCN、ZrN、CrN、MoS2、TiAlN、TiAlCN、TiN-AlN、CNx、DLC和ta-C等多元復(fù)合涂層。

增強(qiáng)型磁控陰極弧：陰極弧技術(shù)是在真空條件下，通過(guò)低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態(tài)，從而完成薄膜材料的沉積。增強(qiáng)型磁控陰極弧利用電磁場(chǎng)的共同作用，將靶材表面的電弧加以有效地控制，使材料的離化率更高，薄膜性能更加優(yōu)異。

過(guò)濾陰極弧：過(guò)濾陰極電弧(FCA )配有的電磁過(guò)濾系統(tǒng)，可將離子源產(chǎn)生的等離子體中的宏觀粒子、離子團(tuán)過(guò)濾干凈，經(jīng)過(guò)磁過(guò)濾后沉積粒子的離化率為100%，并且可以過(guò)濾掉大顆粒， 因此制備的薄膜非常致密和平整光滑，具有抗腐蝕性能好，與機(jī)體的結(jié)合力很強(qiáng)。

磁控濺射：在真空環(huán)境下，通過(guò)電壓和磁場(chǎng)的共同作用，以被離化的惰性氣體離子對(duì)靶材進(jìn)行轟擊，致使靶材以離子、原子或分子的形式被彈出并沉積在基件上形成薄膜。根據(jù)使用的電離電源的不同，導(dǎo)體和非導(dǎo)體材料均可作為靶材被濺射。

離子束DLC：碳qin氣體在離子源中被離化成等離子體，在電磁場(chǎng)的共同作用下，離子源釋放出碳離子。離子束能量通過(guò)調(diào)整加在等離子體上的電壓來(lái)控制。碳?xì)潆x子束被引到基片上，沉積速度與離子電流密度成正比。星弧涂層的離子束源采用高電壓，因而離子能量更大，使得薄膜與基片結(jié)合力很好;離子電流更大，使得DLC膜的沉積速度更快。離子束技術(shù)的主要優(yōu)點(diǎn)在于可沉積超薄及多層結(jié)構(gòu)，工藝控制精度可達(dá)幾個(gè)埃，并可將工藝過(guò)程中的顆料污染所帶來(lái)的缺陷降至。

隨著氣相沉積技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用，上述兩類型氣相沉積各自都有新的技術(shù)內(nèi)容，兩者相互交叉，你中有我，我中有你，致使難以嚴(yán)格分清是化學(xué)的還是物理的。比如，人們把等離子體、離子束引入到傳統(tǒng)的物理氣相沉積技術(shù)的蒸發(fā)和濺射中，參與其鍍膜過(guò)程，同時(shí)通入反應(yīng)氣體，也可以在固體表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，生成新的合成產(chǎn)物固體相薄膜，稱其為反應(yīng)鍍。在濺射鈦(Ti)等離子體中通入反應(yīng)氣體N2后合成TiN就是一例。這就是說(shuō)物理氣相沉積也可以包含有化學(xué)反應(yīng)。又如，在反應(yīng)室內(nèi)通入，借助于w靶陰極電弧放電，在Ar，W等離子體作用下使分解，并在固體表面實(shí)現(xiàn)碳鍵重組，生成摻W的類金剛石碳減摩膜，人們習(xí)慣上把這種沉積過(guò)程仍歸入化學(xué)氣相沉積，但這是在典型的物理氣相沉積技術(shù)——金屬陰極電弧離子鍍中實(shí)現(xiàn)的。另外，人們把等離子體、離子束技術(shù)引入到傳統(tǒng)的化學(xué)氣相沉積過(guò)程，化學(xué)反應(yīng)就不完全遵循傳統(tǒng)的熱力學(xué)原理，因?yàn)榈入x子體有更高的化學(xué)活性，可以在比傳統(tǒng)熱力學(xué)化學(xué)反應(yīng)低得多的溫度下實(shí)現(xiàn)反應(yīng)，這種方法稱為等離子體輔助化學(xué)氣相沉積(PlasmaAssistedChemicalVaporDeition，簡(jiǎn)稱PACVD；有些資料稱之為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積，簡(jiǎn)稱PECVD)，它賦予化學(xué)氣相沉積更多的物理含義。

在今天，討論化學(xué)氣相沉積與物理氣相沉積的不同點(diǎn)，恐怕只剩下用于鍍膜物料形態(tài)的區(qū)別，前者是利用易揮發(fā)性化合物或氣態(tài)物質(zhì)，而后者則利用固相(或液相)物質(zhì)。這種區(qū)分似乎已失去原來(lái)定義的內(nèi)涵實(shí)質(zhì)。

我們?nèi)匀话凑找延械牧?xí)慣，主要以上述鍍料形態(tài)的區(qū)別來(lái)區(qū)分化學(xué)氣相沉積和物理氣相沉積，把固態(tài)(液態(tài))鍍料通過(guò)高溫蒸發(fā)、濺射、電子束、等離子體、離子束、激光束、電弧等能量形式產(chǎn)生氣相原子、分子、離子(氣態(tài)，等離子態(tài))進(jìn)行輸運(yùn)，在固態(tài)表面上沉積凝聚(包括與其他反應(yīng)氣相物質(zhì)進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成反應(yīng)產(chǎn)物)，生成固相薄膜的過(guò)程稱為物理氣相沉積