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DK5V100R25CDK5V100R15M




















同步整流的關(guān)斷損耗關(guān)于開關(guān)損耗，值得指出的是很多同步整流開通是零電壓開通的，而關(guān)斷損耗占據(jù)了主導(dǎo)。下圖是關(guān)于關(guān)斷損耗的一個(gè)圖，分別包含了Qoss損耗（容性損耗），開關(guān)損耗和反向恢復(fù)損耗。如何減少同步整流的反向恢復(fù)損耗反向恢復(fù)損耗，在高壓MOS上，占據(jù)非常大的比例，消除反向恢復(fù)損耗的常見方法如下:1）盡量減小死區(qū)時(shí)間，如下圖所示，二極管的反向時(shí)間決定了Qrr,減小體二極管工作的時(shí)間，這不光減小了反向恢復(fù)損耗，也同時(shí)減小了二極管的死區(qū)導(dǎo)通損耗2）采用內(nèi)部并聯(lián)肖特基二極管的MOS.同步整流的關(guān)機(jī)同步整流驅(qū)動(dòng)關(guān)機(jī)，經(jīng)常會(huì)遇到的問題是關(guān)機(jī)波形不單調(diào)，有負(fù)電流折向原邊
DK5V60R20C


由于少數(shù)載流子為數(shù)很少，故反向電流是很微弱的，電阻很大一個(gè)PN結(jié)就可以形成半導(dǎo)體器件中的二極管（Diode），它同時(shí)也是構(gòu)筑三極管（BJT）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）等其他眾多半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)4.光電特性光生電：在PN結(jié)處沒有可以自由移動(dòng)的電子和空穴，但是晶格原子外層有許多被束縛的共價(jià)電子。DK5V100R15M
DK5V45R25ST1DK5V100R15M


本征半導(dǎo)體：指不含任何摻雜元素的半導(dǎo)體，如純硅晶片或純鍺晶片。P型半導(dǎo)體：摻雜了產(chǎn)生空穴的含較低電價(jià)雜質(zhì)的半導(dǎo)體，如在本征半導(dǎo)體中Si(4+)中摻入Al(3+)的半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體：摻雜了產(chǎn)生空穴的含較低電價(jià)雜質(zhì)的半導(dǎo)體，如在本征半導(dǎo)體中硅Si(4+)中摻入磷P(5+)的半導(dǎo)體。由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體相接觸時(shí)，就產(chǎn)生一個(gè)獨(dú)特的PN結(jié)界面，在界面的兩側(cè)形成空間電荷層，構(gòu)成自建電場(chǎng)。當(dāng)外加電壓等于零時(shí)，由于PN結(jié)兩邊載流子的濃度差引起擴(kuò)散電流和由自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)，這也是常態(tài)下的PN結(jié)。