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MOSFET幾種典型驅(qū)動電路（一）

MOSFET數(shù)字電路

數(shù)字科技的進步，如微處理器運算效能不斷提升，帶給深入研發(fā)新一代MOSFET更多的動力，這也使得MOSFET本身的操作速度越來越快，幾乎成為各種半導體主動元件中快的一種。MOSFET在數(shù)字信號處理上的成功來自CMOS邏輯電路的發(fā)明，這種結(jié)構(gòu)好處是理論上不會有靜態(tài)的功率損耗，只有在邏輯門（logic gate）的切換動作時才有電流通過。CMOS邏輯門基本的成員是CMOS反相器（inverter），而所有CMOS邏輯門的基本操作都如同反相器一樣，在邏輯轉(zhuǎn)換的瞬間同一時間內(nèi)必定只有一種晶體管（NMOS或是PMOS）處在導通的狀態(tài)下，另一種必定是截止狀態(tài)，這使得從電源端到接地端不會有直接導通的路徑，大量節(jié)省了電流或功率的消耗，也降低了集成電路的發(fā)熱量。

MOSFET在數(shù)字電路上應用的另外一大優(yōu)勢是對直流（DC）信號而言，MOSFET的柵極端阻抗為無限大（等效于開路），也就是理論上不會有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點，而是完全由電壓控制柵極的形式。這讓MOSFET和他們的競爭對手BJT相較之下更為省電，而且也更易于驅(qū)動。在CMOS邏輯電路里，除了負責驅(qū)動芯片外負載（off-chip load）的驅(qū)動器（driver）外，每一級的邏輯門都只要面對同樣是MOSFET的柵極，如此一來較不需考慮邏輯門本身的驅(qū)動力。相較之下，BJT的邏輯電路（例如常見的TTL）就沒有這些優(yōu)勢。MOSFET的柵極輸入電阻無限大對于電路設計工程師而言亦有其他優(yōu)點，例如較不需考慮邏輯門輸出端的負載效應（loading effect）。

用什么直流電機驅(qū)動芯片（二）

2 ML4428原理圖及功能實現(xiàn)

ML4428電機控制器不用霍爾傳感器就可為Y形無刷直流電機(BLDC)提供起動和調(diào)速所需的各種功能。它采用28腳雙列表面SOIC封裝，它的內(nèi)部框圖如圖1所示〔1〕，ML4428使用鎖相環(huán)技術(shù)，從電機線圈檢測反電勢，確定換向次序；采用專門的反電勢檢測技術(shù)，可實現(xiàn)三相無刷直流換向且不受PWM噪聲及電機緩沖電路的影響；采用了檢查轉(zhuǎn)子位置并準確對電機加速的起動技術(shù)，確保起動時電機不會反轉(zhuǎn)并可縮短起動時間。

2.1 反電勢檢測信號的獲得

無位置傳感器無刷直流電動機的控制與有位置傳感器無刷直流電機控制的根本區(qū)別就是利用反電勢的波形尋找換向點。當永磁無刷直流電動機運轉(zhuǎn)時，各相繞組的反電動勢(EMF)與轉(zhuǎn)子位置密切相關。由于各相繞組是交替導通工作的，在某相不導通的時刻，其反電動勢波形的某些特殊點，可代替轉(zhuǎn)子位置傳感器的功能，得到所需要的信息。

由于對于單相反電動勢波形圖，反電動勢過零點30°處對應繞組的換向信號，找出反電動勢過零點，即反電動勢檢測的任務〔2〕。基于這一原理，在該芯片內(nèi)設計了一個獨特的反電勢檢測電路(見圖2)，由于有了中點模擬電路，不需從電機三相繞組中引出中線

?存儲芯片特色化水平低

存儲芯片商品有別于絕大多數(shù)的消費性商品，只是具備典型性的大宗商品現(xiàn)貨特性，差異化營銷較小，不一樣公司生產(chǎn)制造的商品性能指標基本一致，規(guī)范化程度高，因而特色化水平較差，客戶忠誠度低。

大家以智能機為例子，客戶在購買智能機時基礎都是考慮到CPU的品牌和型號規(guī)格是高通芯片的還是聯(lián)發(fā)科的，但非常少有些人會考慮到顯示屏是LG的還是BOE的，而僅僅會考慮到顯示屏的尺寸和屏幕分辨率等主要參數(shù)。

這一點存儲芯片和控制面板是相近的，客戶一般總是考慮到存儲芯片的容積，是64G還是128G，而非常少會有些人考慮到存儲芯片是海力士產(chǎn)的還是飛利浦產(chǎn)的。因而，針對存儲芯片領域，要是性能參數(shù)上做到規(guī)定，不一樣品牌的商品可替代率很高，這也為后入式者出示了彎道超越的很有可能?？刂泼姘孱I域中BOE的取得成功也證實了這一點。