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Si3N4的使用溫度一般不超過1300°C

氮化硅的很多性能都?xì)w結(jié)于此結(jié)構(gòu)。純Si3N4為3119，有α和β兩種晶體結(jié)構(gòu)，均為六角晶形，其分解溫度在空氣中為1800℃，在110MPa氮中為1850℃。Si3N4 熱膨脹系數(shù)低、導(dǎo)熱率高。熱壓燒結(jié)的氮化硅加熱到l000℃后投入冷水中也不會。在不太高的溫度下，Si3N4 具有較高的強(qiáng)度和抗沖擊性，但在1200℃以上會隨使用時間的增長而出現(xiàn)破損，使其強(qiáng)度降低，在1450℃以上更易出現(xiàn)疲勞損壞，所以Si3N4 的使用溫度一般不超過1300℃。

氮化硅
廢氣焚燒爐中的廢氣中含有害物質(zhì)，而且在高溫下氧化分解對內(nèi)襯破壞性強(qiáng)。選耐火磚時實(shí)際使用溫度才是耐火磚選材的主要依據(jù)。提高焚燒溫度，有利于廢氣中有害成分的分解。但是，過高的焚燒溫度不僅會對爐襯材料的選擇和工藝厚度提出更高的要求，還會增加焚燒產(chǎn)物中氧化氮的組分含量上升，造成二次污染。普通輕質(zhì)隔熱耐火磚消費(fèi)的材質(zhì)有粘土質(zhì)、高鋁質(zhì)高強(qiáng)漂珠磚，低鐵莫來石、高鋁聚輕隔熱耐火磚，硅藻土隔熱耐火磚。氮化硅

我國自80年代中期開始研究氮化硅技術(shù)。主要是研究減重效率的結(jié)構(gòu)氮化硅材料-多孔氮化硅材料，關(guān)于氮化硅復(fù)合材料的研究剛剛起步，多孔氮化硅復(fù)合材料材料組成體系的理論設(shè)計與試驗設(shè)計相關(guān)研究很少，尚處于摸索階段，受國內(nèi)外相關(guān)研究資料較少的影響，這方面我國的研究一直處于相對落后地位，許多研究單位以及學(xué)者多把研究重點(diǎn)放在領(lǐng)域，而其它領(lǐng)域的應(yīng)用研究基本尚處空白。這方面的研究有待進(jìn)一步加強(qiáng)。多孔氮化硅陶瓷介電常數(shù)預(yù)測及其性能影響規(guī)律認(rèn)識不夠完全，其理論工作與試驗工作的研究都很少。