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氮化硅原子數(shù)目比并不是嚴格的4:3

由于氮化硅與碳化硅、氧化鋁、二氧化釷、氮化硼等能形成很強的結(jié)合，所以可用作結(jié)合材料，以不同配比進行改性。

此外，氮化硅還能應(yīng)用到太陽能電池中。用PECVD法鍍氮化硅膜后，不但能作為減反射膜可減小入射光的反射，而且，在氮化硅薄膜的沉積過程中，反應(yīng)產(chǎn)物氫原子進入氮化硅薄膜以及硅片內(nèi)，起到了鈍化缺陷的作用。這里的氮化硅氮硅原子數(shù)目比并不是嚴格的4:3，而是根據(jù)工藝條件的不同而在一定范圍內(nèi)波動，不同的原子比例對應(yīng)的薄膜的物理性質(zhì)有所不同。

用于超高溫燃氣透平，飛機引擎，電爐等。

氮化硅制品按工藝可以分為反應(yīng)燒結(jié)制品、熱壓制品

氮化硅制品按工藝可以分為反應(yīng)燒結(jié)制品、熱壓制品、常壓燒結(jié)制品、等靜壓燒結(jié)制品和反應(yīng)重燒制品等。其中，反應(yīng)燒結(jié)是一種常用的生產(chǎn)氮化硅耐火制品的方法。

反應(yīng)燒結(jié)法生產(chǎn)氮化硅制品是將磨細的硅粉（粒度一般小于80μm），用機壓或等靜壓成型，坯體干燥后，在氮氣中加熱至1350～1400℃，在燒成過程中同時氮化而制得。采用這種生產(chǎn)方法，原料條件和燒成工藝及氣氛條件對制品的性能有很大的影響。

氮化硅結(jié)合碳化硅磚是以高純SiC為骨料，添加硅粉等外加劑，依據(jù)原位生成理論，在氮化爐中燒制而成。該產(chǎn)品具有強度高、高溫耐磨性好、熱傳導(dǎo)率高、熱膨脹系數(shù)小、熱震穩(wěn)定性好等優(yōu)點，特別是其具有優(yōu)異的性、抗堿和CO侵蝕性。

其結(jié)構(gòu)特征是：SiC大顆粒為基質(zhì)所包圍，基質(zhì)部分由粒狀SiC和原位生成的纖維狀Si3N4所組成，Si3N4纖維交織成三維空間網(wǎng)絡(luò)，將SiC小顆粒包圍起來，并與SiC大顆粒形成牢固的機械結(jié)合。根據(jù)要求配以各種結(jié)合劑,經(jīng)高壓成型，制品具有良好的熱穩(wěn)定性和較高的導(dǎo)熱系數(shù),且耐腐蝕性好,是工業(yè)窯爐理想的節(jié)能材料，該產(chǎn)品具有高溫耐磨性好、膨脹系數(shù)小、熱震穩(wěn)定性好等特點。適用于氣化爐氣體出口處，特別要求熱震穩(wěn)定性良好。