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IGBT的驅(qū)動(dòng)電路特點(diǎn)（二）

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

特點(diǎn)：擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作頻率可達(dá)20kHz。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。

若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u級的漏電流流過，基本上不消耗功率。

平板顯示技術(shù)性歸類

流行還是透過式，指光要透過filter膜層被觀眾們見到，那透過式里邊依據(jù)光源種類又分成自發(fā)亮和非自發(fā)亮，這一比較好了解，非自發(fā)亮便是自身沒有光，務(wù)必靠外部燈源來照亮，例如月兒點(diǎn)亮夜里的地球上。

文中所說的LCD便是歸屬于非自發(fā)亮，她務(wù)必要借出led燈管發(fā)亮透過液晶顯示屏和濾光層(CF)才可以被觀眾們見到。而之前的CRT及其時(shí)下火爆的OLED及其LED光電技術(shù)都?xì)w屬于自發(fā)亮的種類。

LED驅(qū)動(dòng)器是指驅(qū)動(dòng)LED驅(qū)動(dòng)器或LED驅(qū)動(dòng)器組件正常工作的電子器件。因?yàn)長EDPN結(jié)的導(dǎo)通特性決定了其適合的電源電壓和電流變化范圍很小，稍有偏差就可能不能點(diǎn)亮LED，發(fā)光效率嚴(yán)重下降，或縮短使用壽命甚至燒毀芯片。目前工頻電源和普通電池電源都不適合直接向LED供電，LED驅(qū)動(dòng)器就是這種電子元件，可使驅(qū)動(dòng)LED在良好的電壓或電流狀態(tài)下工作。

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