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IGBT的驅(qū)動電路特點（二）

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

特點：擊穿電壓可達1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。

若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u級的漏電流流過，基本上不消耗功率。

驅(qū)動IC廠聚積在MiniLED良率達到99%，明年首季產(chǎn)出放量，隨著顯示屏采用MiniLED，聚積已備妥方案準(zhǔn)備大談商機，業(yè)內(nèi)人士預(yù)期2019年業(yè)績將挑戰(zhàn)歷史高峰。瑞泰威驅(qū)動IC廠家，是國內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅(qū)動IC、存儲IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個型號。

聚積目前除了與中國品牌手機客戶合作，在小間距LED顯示屏的畫面質(zhì)量逐漸朝向高標(biāo)準(zhǔn)HDR，MiniLED HDR 10的se域范圍BT.2020，明年首季開始大量產(chǎn)出，對比度已達到25,000：1，由于HDR能表現(xiàn)出與人眼所能感知的動態(tài)范圍相近，提高畫面亮度，控制暗部畫面的亮度，強化明暗畫面之間的對比度，營造出更加接近現(xiàn)實的自然觀感，因此，聚積目前已與韓系客戶洽談合作，跨入大型屏幕劇院開發(fā)，可望在2019年傳來佳音。

LED芯片發(fā)展情況

據(jù)悉，我國目前LED行業(yè)核心技術(shù)尚未掌握，在大功率LED芯片方面表現(xiàn)尤為突出。國內(nèi)LED顯示屏企業(yè)在國際上的地位，處于產(chǎn)業(yè)鏈中下游階段。

從核心芯片來看，尤其是大功率LED芯片，大多仍依賴“進口”。所以，這種狀況將直接影響到企業(yè)的定價能力，并嚴(yán)重制約企業(yè)的發(fā)展，陷入被動。目前，我國LED產(chǎn)業(yè)在發(fā)展過程中缺乏核心技術(shù)已是不爭的事實，歐美國家對LED產(chǎn)品專利進行壟斷。

盡管近幾年我國LED顯示屏行業(yè)發(fā)展較快，但產(chǎn)品檔次普遍不高，技術(shù)水平同質(zhì)化現(xiàn)象嚴(yán)重，產(chǎn)品質(zhì)量偏低的問題突出。我國LED顯示屏行業(yè)與國外同類企業(yè)相比，在規(guī)模上還有很大的差距。