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SVG以大功率電壓型逆變器為核心，通過調(diào)節(jié)逆變器輸出電壓的幅值和相位，或者直接控制交流側(cè)電流的幅值和相位，迅速吸收或發(fā)出所需的無功功率，實(shí)現(xiàn)快速動態(tài)調(diào)節(jié)無功功率的目的。

響應(yīng)速度快，一般SVC的響應(yīng)速度是20—40ms；而SVG的響應(yīng)速度不大于5ms，能更好的抑制電壓波動和閃變，在相同的補(bǔ)償容量下，SVG對電壓波動和閃變的補(bǔ)償。SVG具有電流源的特性，輸出容量受母線電壓的影響很小 。

在電源的一個工頻周期內(nèi)，晶閘管KP1 、KP2 的輪流導(dǎo)通起了全波整流的作用，二極管起著續(xù)流作用。改變KP1 、KP2 的觸發(fā)角便可改變控制電流的大小，從而改變電抗器鐵心的飽和度，以平滑連續(xù)地調(diào)節(jié)電抗器的容量。

占地面積

由于MCR沒有像TCR一樣采用晶閘管閥組以及空心相控電抗器，而是采用晶閘管控制部分飽和式電抗器，因此，比TCR面積要小。

響應(yīng)速度

MCR型SVC的響應(yīng)速度一般在100 ~ 300ms之內(nèi)?？煽厥斤柡碗娍蛊麒F芯內(nèi)的磁通有慣性，從空載到額定的變化，一般在秒級以上。雖然現(xiàn)在也可采取一些措施提高M(jìn)CR型SVC的響應(yīng)速度，但一般也很難低于150ms。

損耗

可控電抗器在額定負(fù)載時(shí)，鐵芯工作在磁飽和區(qū)域，在這種結(jié)構(gòu)下，磁飽和時(shí)的邊緣效應(yīng)顯著，由于磁閥交替飽和，在磁閥附近鐵芯區(qū)域存在較大的橫向磁場分量，因此增了電抗器鐵芯和繞組的附加損耗，通常約為2%--4%。

目前，MCR經(jīng)過不斷的技術(shù)革新，損耗也有所下降，但是始終不會低于鐵芯式電抗器的額定損耗。鐵心式電抗器的國家標(biāo)準(zhǔn)，按照其容量不同，額定損耗一般為1.2~2%之間。因此，實(shí)際運(yùn)行中，小于5萬MVar的MCR式動態(tài)補(bǔ)償?shù)膿p耗不會小于1.8%