IGBT模塊IGBT模塊規(guī)格 BSM50GAL120DN2 全新igbt模塊
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系列 IGBT系列
封裝 標準封裝
批號 new
可控硅類型 硅(si)
種類 化合物半導體
商品介紹
IGBT硅片的結構與功率MOSFET 的結構十分相似,主要差異是IGBT增加了P+ 基片和一個N+ 緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術沒有增加這個部分)。如等效電路圖所示(圖1),其中一個MOSFET驅動兩個雙極器件?;膽迷诠荏w的P+和 N+ 區(qū)之間創(chuàng)建了一個J1結。 當正柵偏壓使柵極下面反演P基區(qū)時,一個N溝道形成,同時出現一個電子流,并完全按照功率 MOSFET的方式產生一股電流。如果這個電子流產生的電壓在0.7V范圍內,那么,J1將處于正向偏壓,一些空穴注入N-區(qū)內,并調整陰陽極之間的電阻率,這種方式降低了功率導通的總損耗,并啟動了第二個電荷流。后的結果是,在半導體層次內臨時出現兩種不同的電流拓撲:一個電子流(MOSFET 電流); 一個空穴電流(雙極)。
IGBT模塊IGBT模塊規(guī)格,SKM75GB12V
當集電極被施加一個反向電壓時, J1 就會受到反向偏壓控制,耗盡層則會向N-區(qū)擴展。因過多地降低這個層面的厚度,將無法取得一個有效的阻斷能力,所以,這個機制十分重要。另一方面,如果過大地增加這個區(qū)域尺寸,就會連續(xù)地提高壓降。 第二點清楚地說明了NPT器件的壓降比等效(IC 和速度相同) PT 器件的壓降高的原因。
IGBT模塊IGBT模塊規(guī)格,SKM75GB12V
IGBT的觸發(fā)和關斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負向電壓,柵極電壓可由不同的驅動電路產生。當選擇這些驅動電路時,必須基于以下的參數來進行:器件關斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。因為IGBT柵極- 發(fā)射極阻抗大,故可使用MOSFET驅動技術進行觸發(fā),不過由于IGBT的輸入電容較MOSFET為大,故IGBT的關斷偏壓應該比許多MOSFET驅動電路提供的偏壓更高。
IGBT模塊IGBT模塊規(guī)格,SKM75GB12V
IGBT在關斷過程中,漏極電流的波形變?yōu)閮啥?。因為MOSFET關斷后,PNP晶體管的存儲電荷難以迅速消除,造成漏極電流較長的尾部時間,td(off)為關斷延遲時間,trv為電壓Uds(f)的上升時間。實際應用中常常給出的漏極電流的下降時間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成,而漏極電流的關斷時間。
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公司名稱 上海菲茲電子科技有限公司
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