上海菲茲電子科技有限公司代理功率半導體產(chǎn)品及配套器件，的IGBT以及配套驅(qū)動網(wǎng)上供應商，是功率半導體行業(yè)企業(yè)。公司憑借多年的從業(yè)經(jīng)驗、不懈的開拓精神及良好的商業(yè)信譽，在電力電子行業(yè)樹立了良好的企業(yè)形象，同時菲茲與多家電力電子行業(yè)和上市公司長期保持著穩(wěn)定互信的合作關系，也是眾多電子廠商（富士、三菱、英飛凌、富士通、西門康，艾塞斯，尼爾，ABB，西瑪，三社、宏微等）的誠信代理商和分銷商。通過多年的實戰(zhàn)經(jīng)驗，菲茲人積累了堅實的功率半導體應用知識，為電力拖動、風力發(fā)電、電焊機、變頻器、高頻感應加熱、逆變電源、電力機車等行業(yè)提供完善的解決方案，為客戶提技術支持！
N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導體中，電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。

鍺二極管，開啟電壓為0.2V，導通電壓UD約為0.3V。在二極管加有反向電壓，當電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時，電流開始急劇，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏。

在本征半導體的兩個不同區(qū)域摻入三價和五價雜質(zhì)元素，便形成了P型區(qū)和N型區(qū)，根據(jù)N型半導體和P型半導體的特性，可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴散，它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞。

正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。
我司主營產(chǎn)品如下：
1、富士、英飛凌、三菱、西門康全系列IGBT產(chǎn)品；
2、CDE、EACO、日立全系列電容產(chǎn)品；
3、富士、三菱、英飛凌、西門康、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、單管、整流橋產(chǎn)品；
4、建準全系列風機；
5、CONCEPT及驅(qū)動板；
6、富士通單片機及其它配套產(chǎn)品；