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這一優(yōu)點(diǎn)使SVG用于電壓控制時具有很大的優(yōu)勢，系統(tǒng)電壓越低，越需要動態(tài)無功調(diào)節(jié)電壓，SVG的低電壓特性好，輸出的無功電流與系統(tǒng)電壓沒有關(guān)系，可以看作是一個可控恒定的電流源，系統(tǒng)電壓降低時，仍能輸出額定無功電流，具備很強(qiáng)的過載能力；而SVC是阻抗型特性，輸出容量受母線電壓的影響很大，系統(tǒng)電壓越低，輸出無功電流的能力成比例降低，不具備過載能力。因此SVG的無功補(bǔ)償能力與系統(tǒng)電壓無關(guān)，而SVC的無功補(bǔ)償能力隨系統(tǒng)電壓的下降線性降低。

現(xiàn)在主要的動態(tài)補(bǔ)償方式為TCR型SVC、MCR型SVC和SVG三種方式，以下分別介紹這三種動態(tài)無功補(bǔ)償方式的原理，并且通過占地面積、響應(yīng)速度、損耗、噪音等性能指標(biāo)來論述這三種補(bǔ)償方式的特點(diǎn)。

一、 MCR型動態(tài)無功補(bǔ)償裝置

MCR+FC型動態(tài)無功補(bǔ)償裝置

上世紀(jì)60年代由英國GEC公司制成臺自飽和電抗器型SVC，后期俄羅斯人演變?yōu)榭煽仫柡碗娍蛊鳎–SR）型，也可稱為MCR型動態(tài)無功補(bǔ)償裝置。其原理是三相飽和電抗器的工作繞組并聯(lián)在電網(wǎng)上，通過改變飽和電抗器的直流控制繞組的勵磁電流，借以改變鐵心的飽和特性，從而改變工作繞組的感抗，達(dá)到改變其所吸收的無功功率的目的。

損耗

可控電抗器在額定負(fù)載時，鐵芯工作在磁飽和區(qū)域，在這種結(jié)構(gòu)下，磁飽和時的邊緣效應(yīng)顯著，由于磁閥交替飽和，在磁閥附近鐵芯區(qū)域存在較大的橫向磁場分量，因此增了電抗器鐵芯和繞組的附加損耗，通常約為2%--4%。

目前，MCR經(jīng)過不斷的技術(shù)革新，損耗也有所下降，但是始終不會低于鐵芯式電抗器的額定損耗。鐵心式電抗器的國家標(biāo)準(zhǔn)，按照其容量不同，額定損耗一般為1.2~2%之間。因此，實(shí)際運(yùn)行中，小于5萬MVar的MCR式動態(tài)補(bǔ)償?shù)膿p耗不會小于1.8%