LED驅(qū)動(dòng)IC驅(qū)動(dòng)芯片 點(diǎn)陣驅(qū)動(dòng)芯片進(jìn)口 瑞泰威驅(qū)動(dòng)IC
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品牌 瑞泰威
供貨方式 加工、定制、銷(xiāo)售
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產(chǎn)品編號(hào) 13638661
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深圳市瑞泰威科技有限公司主營(yíng):各類(lèi)驅(qū)動(dòng)IC,存儲(chǔ)IC,傳感器IC,觸摸IC銷(xiāo)售,




驅(qū)動(dòng)ic的工作原理

驅(qū)動(dòng)IC:LED就是發(fā)光二極管,當(dāng)二極管的數(shù)量多或者管子比較耗電量大時(shí)就需要驅(qū)動(dòng)了,而且是幾級(jí)驅(qū)動(dòng),抄把這幾級(jí)驅(qū)動(dòng)做到一個(gè)集成的電子芯片里,這個(gè)芯片就叫驅(qū)動(dòng)IC,簡(jiǎn)單說(shuō)就是發(fā)揮給二極管提供補(bǔ)償電流的作用。

led驅(qū)動(dòng)ic的工作原理:

芯片內(nèi)含恒生電路,可透過(guò)電阻來(lái)設(shè)定輸出恒流值。透過(guò)芯片的使能端可百以控制輸出通道的開(kāi)關(guān)時(shí)間,切度換頻率達(dá)一兆赫(1MHz)。電流輸出反應(yīng)極快,支持高色階變化及高畫(huà)面刷新率的應(yīng)用。內(nèi)建開(kāi)路偵測(cè), 過(guò)熱斷電,及過(guò)電流保護(hù)功能,使應(yīng)用系統(tǒng)的可靠性大為提升。




驅(qū)動(dòng)方法:

· 利用知電流值的調(diào)節(jié)方法

· 利用脈沖幅變調(diào)技術(shù)的調(diào)節(jié)方法

電流值的調(diào)節(jié)方法主要是改變電流值調(diào)節(jié)的亮度,此處假設(shè) 時(shí)的光度為1倍,白光的光度與電流變化時(shí)的光度變成1.7倍,此時(shí)的光度變成3倍,雖然照度與電流值并不是比例關(guān)系,道不過(guò)紅光卻呈比例關(guān)系,主要原因是紅、綠、藍(lán)的晶片物性彼此相異所致。



MOSFET幾種典型驅(qū)動(dòng)電路(一)


MOSFET數(shù)字電路

數(shù)字科技的進(jìn)步,如微處理器運(yùn)算效能不斷提升,帶給深入研發(fā)新一代MOSFET更多的動(dòng)力,這也使得MOSFET本身的操作速度越來(lái)越快,幾乎成為各種半導(dǎo)體主動(dòng)元件中快的一種。MOSFET在數(shù)字信號(hào)處理上的成功來(lái)自CMOS邏輯電路的發(fā)明,這種結(jié)構(gòu)好處是理論上不會(huì)有靜態(tài)的功率損耗,只有在邏輯門(mén)(logic gate)的切換動(dòng)作時(shí)才有電流通過(guò)。CMOS邏輯門(mén)基本的成員是CMOS反相器(inverter),而所有CMOS邏輯門(mén)的基本操作都如同反相器一樣,在邏輯轉(zhuǎn)換的瞬間同一時(shí)間內(nèi)必定只有一種晶體管(NMOS或是PMOS)處在導(dǎo)通的狀態(tài)下,另一種必定是截止?fàn)顟B(tài),這使得從電源端到接地端不會(huì)有直接導(dǎo)通的路徑,大量節(jié)省了電流或功率的消耗,也降低了集成電路的發(fā)熱量。





MOSFET在數(shù)字電路上應(yīng)用的另外一大優(yōu)勢(shì)是對(duì)直流(DC)信號(hào)而言,MOSFET的柵極端阻抗為無(wú)限大(等效于開(kāi)路),也就是理論上不會(huì)有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點(diǎn),而是完全由電壓控制柵極的形式。這讓MOSFET和他們的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手BJT相較之下更為省電,而且也更易于驅(qū)動(dòng)。在CMOS邏輯電路里,除了負(fù)責(zé)驅(qū)動(dòng)芯片外負(fù)載(off-chip load)的驅(qū)動(dòng)器(driver)外,每一級(jí)的邏輯門(mén)都只要面對(duì)同樣是MOSFET的柵極,如此一來(lái)較不需考慮邏輯門(mén)本身的驅(qū)動(dòng)力。相較之下,BJT的邏輯電路(例如常見(jiàn)的TTL)就沒(méi)有這些優(yōu)勢(shì)。MOSFET的柵極輸入電阻無(wú)限大對(duì)于電路設(shè)計(jì)工程師而言亦有其他優(yōu)點(diǎn),例如較不需考慮邏輯門(mén)輸出端的負(fù)載效應(yīng)(loading effect)。



IGBT的驅(qū)動(dòng)電路特點(diǎn)(一)

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。



輸出特性與轉(zhuǎn)移特性:

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時(shí),集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似,也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開(kāi)關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時(shí)主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同,當(dāng)柵極電壓VGE小于開(kāi)啟電壓VGE(th)時(shí),IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi),IC與VGE呈線性關(guān)系。

IGBT與MOSFET的對(duì)比:

MOSFET全稱(chēng)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點(diǎn):熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點(diǎn):擊穿電壓低,工作電流小。



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