深圳市瑞泰威科技有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品: 磁簧開關(guān)
瑞泰威驅(qū)動(dòng)IC-步進(jìn)驅(qū)動(dòng)芯片供應(yīng)-信號(hào)驅(qū)動(dòng)芯片定制
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店齡5年 企業(yè)認(rèn)證
聯(lián)系人
范清月
聯(lián)系電話
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經(jīng)營(yíng)模式
經(jīng)銷批發(fā)
所在地區(qū)
廣東省深圳市
主營(yíng)產(chǎn)品
近幾年來(lái)MOSFET和IGBT在變頻調(diào)速裝置、開關(guān)電源、不間斷電源等各種、低損耗和低噪音的場(chǎng)合得到了廣泛的應(yīng)用。這些功率器件的運(yùn)行狀態(tài)直接決定了設(shè)備的優(yōu)劣,而性能良好的驅(qū)動(dòng)電路又是開關(guān)器件安全可靠運(yùn)行的重要保障。在設(shè)計(jì)MOSFET和IGBT的驅(qū)動(dòng)電路時(shí),應(yīng)考慮一下幾個(gè)因素:
(1)要有一定的驅(qū)動(dòng)功率。也就是說(shuō),驅(qū)動(dòng)電路能提供足夠的電流,在所要求的開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間內(nèi)對(duì)MOSFET和IGBT的輸入電容Ciss充電和放電。輸入電容Ciss包括柵——源之間的電容CGS和柵——漏之間的電容CGD。 MOSFET和 IGBT的開通和關(guān)斷實(shí)質(zhì)上是對(duì)其輸入電容的充放電過(guò)程e799bee5baa6e59b9ee7ad9431333337383832,柵極電壓VGS的上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf決定輸入回路的時(shí)間常數(shù),即:tr(或tf)=2.2RCiss ,式中R是輸入回路電阻,其中包括驅(qū)動(dòng)電源的內(nèi)阻Ri。從上式中可以知道驅(qū)動(dòng)電源的內(nèi)阻越小,驅(qū)動(dòng)速度越快。
(2)驅(qū)動(dòng)電路延遲時(shí)間要小。開關(guān)頻率越高,延遲時(shí)間要越小。
(3)大功率IGBT在關(guān)斷時(shí),有時(shí)須加反向電壓,以防止受到干擾時(shí)誤開通。
(4)驅(qū)動(dòng)信號(hào)有時(shí)要求電氣隔離。
以PWM DC-DC全橋變換器為例,其同一橋臂的兩只開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)S上和S下相差1800,是剛好相反的,即一只開關(guān)管開通,另一只開關(guān)管要關(guān)斷,或者同時(shí)關(guān)斷。其中,兩只上臂的開關(guān)管之間和下臂的開關(guān)管必須隔離。對(duì)于中小功率的驅(qū)動(dòng)電路,用脈沖變壓器的方法實(shí)現(xiàn)隔離為簡(jiǎn)單,而在大功率的應(yīng)用場(chǎng)合,則要使用集成驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。
存儲(chǔ)芯片內(nèi)地發(fā)展的影響
價(jià)錢:減價(jià)或成大勢(shì)所趨
獲益于中下游智能機(jī)、AI、大數(shù)據(jù)中心、轎車、物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)等多極運(yùn)用的驅(qū)動(dòng)器,存儲(chǔ)芯片銷售市場(chǎng)有希望持續(xù)保持高提高。美光預(yù)估17年至二零二一年,DRAM要求復(fù)合型增長(zhǎng)率將達(dá)20%,NAND位要求復(fù)合型增長(zhǎng)率將達(dá)40-45%。
存儲(chǔ)芯片的價(jià)格上漲由需求量很高剛開始,是不是不斷還得看供求。要求是遲緩提高,而提供會(huì)忽然提升,伴隨著國(guó)際性大型廠生產(chǎn)能力釋放出來(lái)及其內(nèi)地儲(chǔ)存新項(xiàng)目有序推進(jìn),存儲(chǔ)芯片價(jià)格波動(dòng)或成大勢(shì)所趨。
PWM,DC/DC,開關(guān)是一種通信解決方案,由于使用各種不同的集成IC,常常需要多種不同的供電電壓,出于成本原因,由于系統(tǒng)集成和成本原因,電源不能使用多種不同電壓的直流電。
開關(guān)電源芯片由于其控制簡(jiǎn)單、效率a高、靈活性強(qiáng)等特點(diǎn),已取代線性電源,成為電力電子技術(shù)中應(yīng)用廣泛的控制方式,下面就讓我們一起來(lái)了解一下,常用開關(guān)電源pwm芯片和pwm開關(guān)電源的工作原理。