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磁閥式可控電抗器的主鐵心分裂為兩半（即鐵心1和鐵心2），截面積為A,每一半鐵心截面積具有減小的一段，四個(gè)匝數(shù)為N/2的線圈分別對稱地繞在兩個(gè)半鐵心柱上（半鐵心柱上的線圈總匝數(shù)為N），每一半鐵心柱的上下兩繞組各有一抽頭比為δ= N2 / N 的抽頭，它們之間接有晶閘管KP1 ( KP2 ),不同鐵心上的上下兩個(gè)繞組交叉連接后，并聯(lián)至電網(wǎng)電源，續(xù)流二極管則橫跨在交叉端點(diǎn)上。在整個(gè)容量調(diào)節(jié)范圍內(nèi)，只有小面積段的磁路飽和，其余段均處于未飽和的線性狀態(tài)，通過改變小截面段磁路的飽和程度來改變電抗器的容量。

損耗

可控電抗器在額定負(fù)載時(shí)，鐵芯工作在磁飽和區(qū)域，在這種結(jié)構(gòu)下，磁飽和時(shí)的邊緣效應(yīng)顯著，由于磁閥交替飽和，在磁閥附近鐵芯區(qū)域存在較大的橫向磁場分量，因此增了電抗器鐵芯和繞組的附加損耗，通常約為2%--4%。

目前，MCR經(jīng)過不斷的技術(shù)革新，損耗也有所下降，但是始終不會(huì)低于鐵芯式電抗器的額定損耗。鐵心式電抗器的國家標(biāo)準(zhǔn)，按照其容量不同，額定損耗一般為1.2~2%之間。因此，實(shí)際運(yùn)行中，小于5萬MVar的MCR式動(dòng)態(tài)補(bǔ)償?shù)膿p耗不會(huì)小于1.8%

SVG的優(yōu)勢

通過上一節(jié)對SVG原理的描述可以知道，SVG可以根據(jù)負(fù)載特點(diǎn)和工況，自動(dòng)調(diào)節(jié)其輸出的無功功率的大小和性質(zhì)（容性或者感性）。因此，從本質(zhì)上講，SVG可以等效為大小可以連續(xù)調(diào)節(jié)的電容或電抗器。

SVG是目前為先進(jìn)的無功補(bǔ)償技術(shù)，其基于電壓源型變流器的補(bǔ)償裝置實(shí)現(xiàn)了無功補(bǔ)償方式質(zhì)的飛躍。它不再采用大容量的電容、電感器件，而是通過大功率電力電子器件的高頻開關(guān)實(shí)現(xiàn)無功能量的變換。從技術(shù)上講，SVG較傳統(tǒng)的無功補(bǔ)償裝置有如下優(yōu)勢：

1) 響應(yīng)時(shí)間更快

SVG響應(yīng)時(shí)間：≤5ms。

傳統(tǒng)靜補(bǔ)裝置響應(yīng)時(shí)間： ≥10ms。