

北京賽米萊德貿(mào)易有限公司
主營產(chǎn)品: 其他電工電氣輔材
水性光刻膠-近紅外光刻膠-Futurrex
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5,顯影液
在已經(jīng)曝光的硅襯底膠面噴淋顯影液,或?qū)⑵浣菰陲@影液中,正膠是曝光區(qū)、而負(fù)膠是非曝光區(qū)的膠膜溶入顯影液,膠膜中的潛影顯現(xiàn)出來,形成三維圖像。
顯影完成后通常進(jìn)行工藝線的顯影檢驗(yàn),通常是在顯微鏡下觀察顯影效果,顯影是否徹底、光刻膠圖形是否完好。
影響顯影的效果主要因素:
1,曝光時(shí)間,2前烘溫度和時(shí)間,3光刻膠膜厚,4顯影液濃度溫度,5顯影液的攪動情況。
光刻膠
按感光樹脂的化學(xué)結(jié)構(gòu),光刻膠可分為光聚合型光刻膠、光分解型光刻膠和光交聯(lián)型光刻膠。在應(yīng)用中,采用不同單體可以形成正、負(fù)圖案,并可在光刻過程中改變材料溶解性、抗蝕性等。
光聚合型光刻膠
烯類,在光作用下生成自由基,自由基再進(jìn)一步引發(fā)單體聚合。
光分解型光刻膠
疊氮醌類化合物,經(jīng)光照后,會發(fā)生光分解反應(yīng),由油溶性變?yōu)樗苄浴?
光交聯(lián)型光刻膠
聚乙烯醇月桂酸酯,在光的作用下,分子中的雙鍵打開,鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián),形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)從而起到抗蝕作用。
按曝光波長,光刻膠可分為紫外(300~450 nm)光刻膠、深紫外(160~280 nm)光刻膠、極紫外(EUV,13.5 nm)光刻膠、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X 射線光刻膠等。
按應(yīng)用領(lǐng)域,光刻膠可分為PCB 光刻膠、LCD 光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠等。PCB 光刻膠技術(shù)壁壘相對其他兩類較低,而半導(dǎo)體光刻膠代表著光刻膠技術(shù)的水平。







光刻膠的主要技術(shù)參數(shù)
1、分辨率:區(qū)別硅片表面相鄰圖形特性的能力,一般用關(guān)鍵尺寸來衡量 分辨率。形成的關(guān)鍵尺寸越小,光刻膠的分辨率越好。
2、對比度:指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過渡的陡度。對比度越好,形成圖形的側(cè)壁越陡峭,分辨率越好。
3、敏感度:光刻膠上產(chǎn)生一 個(gè)良好的圖形所需一 定波長的小能量值(或小曝光量)。單位:焦/平方厘米或mJ/cm2.光刻膠
的敏感性對于波長更短的深紫外光(DUV)、極深紫外光(EUV)等尤為重要。
4、粘滯性/黏度:衡量光刻膠流動特性的參數(shù)。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加;高的粘滯性會產(chǎn)生厚的光刻膠;越小的
粘滯性,就有越均勻的光刻膠厚度。
5、粘附性:表征光刻膠粘著于襯底的強(qiáng)度。光刻膠的粘附性不足會導(dǎo)致硅片表面的圖形變形。
6、抗蝕性:光刻膠必須保持它的粘附性,在后續(xù)的刻蝕I序中保護(hù)襯底表面。
7、表面張力:液體中將表面分子拉向液體主體內(nèi)的分子間吸引力。光刻膠應(yīng)該具有比較小的表面張力,使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋。
8、存儲和傳送:能量可以啟動光刻膠。應(yīng)該存儲在密閉、低溫、不透光的盒中。 同時(shí)必須規(guī)定光刻膠的閑置期限和存貯溫度環(huán)境。
以上內(nèi)容由賽米萊德為您提供,希望對同行業(yè)的朋友有所幫助!
