常見低壓電器選型及原則，全面講解！

    熔斷器的選擇

      2. 熔斷器規(guī)格的選擇

     (4) 電容補償柜主回路的保護，如選用gG型熔斷器，熔斷體的額定電流In約等于線路計算電流1.8~2.5倍；如選用aM 型熔斷器，熔斷體的額定電流In 約等于線路電流的1~2.5倍。

     (5) 線路上下級間的選擇性保護，上級熔斷器與下級熔斷器的額定電流In的比等于或大于1.6，就能滿足防止發(fā)生越級動作而擴大故障停電范圍的需要。

     (6) 保護半導體器件用熔斷器，熔斷器與半導體器件串聯(lián)，而熔斷器熔體的額定電流用有效值表示，半導體器件的額定電流用正向平均電流表示，因此，應按下式計算熔體的額定電流:

IRN≥1.57 IRN ≈1.6 IRN 式中 IRN 表示半導體器件的正向平均電流。

    (7) 降容使用

  在20℃環(huán)境溫度下，我們推薦熔斷體的實際工作電流不應超過額定電流值。選用熔斷體時應考慮到環(huán)境及工作條件，如封閉程度 空氣流動 連接電纜尺寸(長度及截面)瞬時峰值等方面的變化；熔斷體的電流承載能力試驗是在20℃環(huán)境溫度下進行的，實際使用時受環(huán)境溫度變化的影響。環(huán)境溫度越高，熔斷體的工作溫度就越高，其壽命也就越短。相反，在較低的溫度下運行將延長熔斷體的壽命。

    (8) 在配電線路中，一般要求前一級熔體比后一級熔體的額定電流大2~3倍，以防止發(fā)生越級動作而擴大故障停電范圍。