除泡光刻膠品牌 電子光刻膠 Futurrex
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除泡光刻膠品牌-電子光刻膠-Futurrex

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北京賽米萊德貿(mào)易有限公司

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商品介紹
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運(yùn)輸方式 貨運(yùn)及物流
可售賣地 全國
耐溫 150度
聚焦補(bǔ)償 -15μm
掩模尺寸 12μm
膜厚 54μm
縱橫比 4.5
光刻膠型號(hào) NR5-8000
曝光能量 1100 mJ/cm22
報(bào)價(jià)方式 按實(shí)際訂單報(bào)價(jià)為準(zhǔn)
產(chǎn)品編號(hào) 14181810
商品介紹
北京賽米萊德貿(mào)易有限公司主營:光刻膠




負(fù)性光刻膠

負(fù)性光刻膠

    負(fù)性光刻膠分為粘性增強(qiáng)負(fù)性光刻膠、加工負(fù)性光刻膠、剝離處理用負(fù)性光刻膠三種。

    A、粘性增強(qiáng)負(fù)性光刻膠

    粘性增強(qiáng)負(fù)膠的應(yīng)用是在設(shè)計(jì)制造中替代基于聚異戊二烯雙疊氮的負(fù)膠。粘性增強(qiáng)負(fù)膠的特性是在濕刻和電鍍應(yīng)用時(shí)的粘附力;很容易用光膠剝離器去除,厚度范圍是﹤0.1 ~ 120.0 μm,可在i、g以及h-line波長曝光。

    粘性增強(qiáng)負(fù)膠對(duì)生產(chǎn)量的影響,消除了基于溶液的顯影和基于溶液沖洗過程的步驟。優(yōu)于傳統(tǒng)正膠的優(yōu)勢(shì):控制表面形貌的優(yōu)異帶寬、任意甩膠厚度都可得到筆直的側(cè)壁、具有一次旋涂即可獲得100 μm甩膠厚度、厚膠層同樣可得到優(yōu)越的分辨率、150 ℃軟烘烤的應(yīng)用可縮短烘烤時(shí)間、優(yōu)異的光速度進(jìn)而增強(qiáng)曝光通量、更快的顯影,100 μm的光膠顯影僅需6 ~ 8分鐘、光膠曝光時(shí)不會(huì)出現(xiàn)光膠氣泡、可將一個(gè)顯影器同時(shí)應(yīng)用于負(fù)膠和正膠、不必使用粘度增強(qiáng)劑。

    i線曝光用粘度增強(qiáng)負(fù)膠系列:NP9–250P、NP9–1000P、NP9–1500P、NP9–3000P、NP9–6000P、NP9–8000、NP9–8000P、NP9–20000P。

    g和h線曝光用粘度增強(qiáng)負(fù)膠系列:NP9G–250P、NP9G–1000P、NP9G–1500P、NP9G–3000P、NP9G–6000P、NP9G–8000。

    B、加工負(fù)膠

    加工負(fù)膠的應(yīng)用是替代用于RIE加工及離子植入的正膠。加工負(fù)膠的特性在RIE加工時(shí)優(yōu)異的選擇性以及在離子植入時(shí)優(yōu)異的溫度阻抗,厚度范圍是﹤0.1 ~ 120.0 μm,可在i、g以及h-line波長曝光。

    加工負(fù)膠優(yōu)于正膠的優(yōu)勢(shì)是控制表面形貌的優(yōu)異帶寬、任意甩膠厚度都可得到筆直的側(cè)壁、具有一次旋涂即可獲得100 μm甩膠厚度、厚膠層同樣可得到優(yōu)越的分辨率、150 ℃軟烘烤的應(yīng)用可縮短烘烤時(shí)間、優(yōu)異的光速度進(jìn)而增強(qiáng)曝光通量、更快的顯影,100 μm的光膠顯影僅需6 ~ 8分鐘、光膠曝光時(shí)不會(huì)出現(xiàn)光膠氣泡、可將一個(gè)顯影器同時(shí)應(yīng)用于負(fù)膠和正膠、優(yōu)異的溫度阻抗直至180 ℃、在反應(yīng)離子束刻蝕或離子減薄時(shí)非常容易地增加能量密度,從而提高刻蝕速度和刻蝕通量、非常容易進(jìn)行高能量離子減薄、不必使用粘度促進(jìn)劑。

    用于i線曝光的加工負(fù)膠系列:NR71-250P、NR71-350P、NR71-1000P、NR71-1500P、NR71-3000P、NR71-6000P、NR5-8000。


NR9-3000PY光刻膠

四、前烘(Soft Bake)

完成光刻膠的涂抹之后,需要進(jìn)行軟烘干操作,這一步驟也被稱為前烘。前烘能夠蒸發(fā)光刻膠中的溶劑溶劑、能使涂覆的光刻膠更薄。

在液態(tài)的光刻膠中,溶劑成分占65%-85%。雖然在甩膠之后,液態(tài)的光刻膠已經(jīng)成為固態(tài)的薄膜,但仍有10%-30%的溶劑,容易沾污灰塵。通過在較高溫度下進(jìn)行烘培,可以使溶劑從光刻膠中揮發(fā)出來(前烘后溶劑含量降至5%左右),從而降低了灰塵的沾污。同時(shí),這一步驟還可以減輕因高速旋轉(zhuǎn)形成的薄膜應(yīng)力,從而提高光刻膠 襯底上的附著性。

在前烘過程中,由于溶劑揮發(fā),光刻膠厚度也會(huì)減薄,一般減薄的幅度為10%-20%左右。


光刻膠的核心參數(shù)是什么?

分辨率、對(duì)比度和敏感度是光刻膠的核心技術(shù)參數(shù)。隨著集成電路的發(fā)展,芯片制造特征尺寸越來越小,對(duì)光刻膠的要求也越來越高。光刻膠的核心技術(shù)參數(shù)包括分辨率、對(duì)比度和敏感度等。為了滿足集成電路發(fā)展的需要,光刻膠朝著高分辨率、高對(duì)比度以及高敏感度等方向發(fā)展。

以上就是為大家介紹的全部內(nèi)容,希望對(duì)大家有所幫助。如果您想要了解更多光刻膠的知識(shí),歡迎撥打圖片上的熱線聯(lián)系我們。



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