part number IG編號(hào)
VCES 在門(mén)極一發(fā)射極之間處于短路狀態(tài)時(shí)，集電極一發(fā)射極間能夠外加的zui大電壓
Collector current 集電極電流
Configuration

infineon英飛凌可控硅BSM50GP120，可控硅模塊

驅(qū)動(dòng)不足 驅(qū)動(dòng)不足也即驅(qū)動(dòng)電壓偏低，容易使IG管進(jìn)入放大狀態(tài)，IG管的功耗大幅增加，IG管將迅速燒毀。
igbt模塊的注意事項(xiàng)?
由于IG模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IG的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IG失效的常見(jiàn)原因之一。 因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：
1. 在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí)，要先將或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸;
2. 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線(xiàn)未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊;
3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。

若開(kāi)關(guān)頻率在10KHz－15KHz之間，請(qǐng)使用英飛凌后綴為“DN2”和“KT3”的IG模塊，今后對(duì)于fk≤15KHz的應(yīng)用場(chǎng)合，建議客戶(hù)逐步用“KT3”取代“KE3”，“DLC”或“DN2”。
當(dāng)開(kāi)關(guān)頻率fk≥15KHz時(shí)，開(kāi)關(guān)損耗是主要的，通態(tài)損耗占的比例比較小。選擇英飛凌短拖尾電流“KS4”高頻系列。當(dāng)然對(duì)于fk在15KHz－20KHz之間時(shí)，“DN2”系列
也是比較好的選擇。英飛凌“KS4”高頻系列，硬開(kāi)關(guān)工作頻率可達(dá)40KHz；若是軟開(kāi)關(guān)，可工作在150KHz左右。

IG可控硅，infineon英飛凌可控硅BSM50GP120

ACS550-01
0.75kW to 110kW
ABB 標(biāo)準(zhǔn)傳動(dòng)可以簡(jiǎn)單的購(gòu)買(mǎi)、安裝、配置和使用，可節(jié)省相當(dāng)多的時(shí)間；這種傳動(dòng)具有帶現(xiàn)場(chǎng)總線(xiàn)的公共的用戶(hù)和過(guò)程接口；公共的軟件工具用于選型、調(diào)試和維護(hù)；公共的備件。