在電力電子設(shè)備中，選擇IG模塊時，通常是先計(jì)算通過IG模塊的電流值，然后根據(jù)電力電子設(shè)備的特點(diǎn)，考慮到過載、電網(wǎng)波動、開關(guān)尖峰等因素考慮一倍的安全余量來選擇相應(yīng)的IG模塊。但嚴(yán)格的選擇，應(yīng)根據(jù)不同的應(yīng)用情況，計(jì)算耗散功率，通過熱阻核算具結(jié)溫不超過規(guī)定值來選擇器件。通過zui高結(jié)溫核標(biāo)可選擇較小的IG模塊通過更大的電流，更加有效地利用IG模塊。

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半導(dǎo)體器件具有溫度敏感性，因此IG模塊標(biāo)稱電流與溫度的關(guān)系比較大。隨著殼溫的上升IG模塊可利用的電流就會下降，英飛凌IG模塊是按殼溫TC=80℃來標(biāo)稱其zui大允許通過的集電流極電流（IC）。對于西門子 英飛凌NPT-IG 芯片來說，當(dāng)TC≤25℃時，這個電流值通常是一個恒定值，但隨著TC 的增加，這個可利用的電流值下降較快，有些公司是按TC＝25℃的電流值來標(biāo)稱型號，這需用戶特別注意。

1. 一般保存IG模塊的場所，應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài)，不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5～35℃ ，常濕的規(guī)定在45～75%左右。在冬天特別干燥的地區(qū)，需用加濕機(jī)加濕;
2. 盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合;
3. 在溫度發(fā)生急劇變化的場所IG模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象，因此IG模塊應(yīng)放在溫度變化較小的地方;
4. 保管時，須注意不要在IG模塊上堆放重物;
5. 裝IG模塊的容器，應(yīng)選用不帶靜電的容器。
6. 檢測IG模塊的的辦法。

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有單相，三相之分，電壓也有240v和380v之分。

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