IEGT具有作為MOS系列電力電子器件的潛在發(fā)展前景，具有低損耗、高速動(dòng)作、高耐壓、有源柵驅(qū)動(dòng)智能化等特點(diǎn)，以及采用溝槽結(jié)構(gòu)和多芯片并聯(lián)而自均流的特性，使其在進(jìn)一步擴(kuò)大電流容量方面頗具潛力。另外，通過(guò)模塊封裝方式還可提供眾多派生產(chǎn)品，在大、中容量變換器應(yīng)用中被寄予厚。

infineon英飛凌可控硅FS75R12KT3

但是目前的風(fēng)電變流器都是690V的，IG的耐壓也就足夠了。 IG和IGCT，誰(shuí)是電力電子器件的發(fā)展方向？
目前學(xué)術(shù)界正在爭(zhēng)論，雖然IGCT出現(xiàn)晚，但至少在目前，還看不出它相對(duì)IG有什么優(yōu)勢(shì)。但也有可能隨著技術(shù)的發(fā)展，兩者并駕齊驅(qū)，或者都被某種新的器件代替。
與IGCT所對(duì)應(yīng)的是IEGT, IEGT也稱(chēng)為壓裝式IG （PPI). IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)是耐壓達(dá)4KV以上的IG系列電力電子器件，通過(guò)采取增強(qiáng)注入的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了低通態(tài)電壓，使大容量電力電子器件取得了飛躍性的發(fā)展。

英飛凌IG模塊，infineon英飛凌可控硅FS75R12KT3

半導(dǎo)體器件具有溫度敏感性，因此IG模塊標(biāo)稱(chēng)電流與溫度的關(guān)系比較大。隨著殼溫的上升IG模塊可利用的電流就會(huì)下降，英飛凌IG模塊是按殼溫TC=80℃來(lái)標(biāo)稱(chēng)其zui大允許通過(guò)的集電流極電流（IC）。對(duì)于西門(mén)子 英飛凌NPT-IG 芯片來(lái)說(shuō)，當(dāng)TC≤25℃時(shí)，這個(gè)電流值通常是一個(gè)恒定值，但隨著TC 的增加，這個(gè)可利用的電流值下降較快，有些公司是按TC＝25℃的電流值來(lái)標(biāo)稱(chēng)型號(hào)，這需用戶(hù)特別注意。

infineon英飛凌可控硅FS75R12KT3,可控硅晶閘管

在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)柵極zui大額定電壓，但柵極連線(xiàn)的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線(xiàn)來(lái)傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以減少寄生電感。在柵極連線(xiàn)中串聯(lián)小電阻也可以振蕩電壓。
此外，在柵極—發(fā)射極間開(kāi)路時(shí)，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過(guò)，柵極電位升高，集電極則有電流流過(guò)。這時(shí)，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IG發(fā)熱及至損壞。

常見(jiàn)問(wèn)題：

問(wèn)題1。貴公司的優(yōu)勢(shì)是什么？

A1。我公司擁有專(zhuān)業(yè)的團(tuán)隊(duì)和專(zhuān)業(yè)的生產(chǎn)線(xiàn)。

問(wèn)題2。我為什么要選擇你們的產(chǎn)品？

A2。我們的產(chǎn)品質(zhì)優(yōu)價(jià)廉。

問(wèn)題3。你們公司還能提供其他什么好的服務(wù)嗎？

A3。是的，我們可以提供良好的售后服務(wù)和快速交貨。