該產(chǎn)品采用H橋電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，采用高可靠性功率管工藝，特別適合驅(qū)動(dòng)線圈、馬達(dá)等感性負(fù)載。電路內(nèi)部集成N溝道和P溝道功率MOSFET，工作

電壓范圍覆蓋2V到9.6V。27℃，VDD=6.5V，兩個(gè)通道同時(shí)工作的條件下，2通道持續(xù)輸出電流達(dá)到0.8A，峰值輸出電流達(dá)到1.5A；1通道持續(xù)輸出電流達(dá)到1.2A，峰值輸出電流達(dá)到2A。該電路為功率器件，本身具備一定內(nèi)阻，電路的發(fā)熱與負(fù)載電流、功率管導(dǎo)通內(nèi)阻以及環(huán)境溫度密切相關(guān)。電路設(shè)計(jì)有芯片級(jí)溫度檢測(cè)電路，實(shí)時(shí)監(jiān)控芯片內(nèi)部發(fā)熱，當(dāng)芯片內(nèi)部溫度超過(guò)設(shè)定值時(shí)(典型值150℃)，產(chǎn)生功率管關(guān)斷信號(hào)，關(guān)閉負(fù)載電流，避免因異常使用導(dǎo)致的溫度持續(xù)升高，進(jìn)而造成塑料封裝冒煙、起火等嚴(yán)重安全事故。芯片內(nèi)置的溫度遲滯電路，確保電路恢復(fù)到安全溫度后，才

允許重新對(duì)功率管進(jìn)行控制。

特性

低待機(jī)電流(小于0.1uA)

低導(dǎo)通內(nèi)阻MOSFET功率開(kāi)關(guān)管

—采用MOS工藝設(shè)計(jì)功率管

— 1通道1200毫安功率管內(nèi)阻0.46歐姆

— 2通道800毫安功率管內(nèi)阻0.5歐姆

內(nèi)部集成續(xù)流二極管

—無(wú)需外接續(xù)流二極管

較小的輸入電流

—集成約15K對(duì)地下拉電阻

— 3V驅(qū)動(dòng)信號(hào)平均200uA輸入電流

內(nèi)置帶遲滯效應(yīng)的過(guò)熱保護(hù)電路(TSD)

抗靜電等級(jí)：3KV (HBM)

應(yīng)用范圍

2-6節(jié)AA/AAA干電池供電的玩具馬達(dá)驅(qū)動(dòng)

2-6節(jié)鎳-氫/鎳-鎘充電電池供電的玩具馬達(dá)驅(qū)

動(dòng)

1-2節(jié)鋰電池供電的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)

 本廠主要生產(chǎn)和銷售鋰電保護(hù)IC、升壓/降壓IC、手電筒驅(qū)動(dòng)IC、線控IC、聲控IC等、原廠現(xiàn)貨