IG是功率半導體器件第三次技術的代表性產品，具有高頻率、高電壓、大電流，易于開關等優(yōu)良性能，被業(yè)內稱為功率變流裝置的“CPU”，廣泛應用于軌道交通、航tian、船舶驅動、智能電網、新能源、交流變頻、風力發(fā)電、電機傳動、汽車等強電控制等產業(yè)領域。上海菁園科技，供應的IG模塊包括德國英飛凌、瑞士ABB、美國IR、飛兆以及日本三菱、東芝、富士等公司的各種型號。

infineon英飛凌IG模塊BSM25GP120，可控硅模塊

對于一個具體的應用來說，在選擇英飛凌IG模塊時需考慮其在任何靜態(tài)、動態(tài)、過載（如短路）的運行情況下：
（i）： 器件耐壓;
（ii）： 在實際的冷卻條件下，電流的承受力;
（iii）：的開關頻率;
（iv）：安全工作區(qū)（SOA）限制;
（v）： 運行溫度限制。
一、器件耐壓的選擇
因為大多數IG模塊工作在交流電網通過單相或三相整流后的直流母線電壓下，所以通常IG模塊的工作電壓（600V、1200V、1700V）均對應于常用電網的電壓等級?？紤]到過載，電網波動，開關過程引起的電壓尖峰等因素，通常電力電子設備選擇IG 器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結構、布線、吸收等設計比較好，就可以使用較低耐壓的IG模塊承受較高的直流母線電壓。

IG非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
什么是IG？它的作用是什么？
IG(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。

IG可控硅，infineon英飛凌IG模塊BSM25GP120

概述；