加在控制極G上的觸發(fā)脈沖的大小或時(shí)間改變時(shí)，就能改變其導(dǎo)通電流的大小。與單向可控硅的區(qū)別是，雙向可控硅G極上觸發(fā)脈沖的極性改變時(shí)，其導(dǎo)通方向就隨著極性的變化而改變，從而能夠控制交流電負(fù)載。而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從陽極向陰極單方向?qū)?，所以可控硅有單雙向之分。 電子制作中常用可控硅，單向的有MCR－100等，雙向的有TLC336等。

IG模塊ABB可控硅FS200R06KE3ABB可控硅

在應(yīng)用可控硅時(shí)，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。

一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。

可控硅的主要參數(shù): 1 額定通態(tài)電流（IT)即zui大穩(wěn)定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。 2 反向重復(fù)峰值電壓（VRRM)或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM*VDRM一般為幾百伏到一千伏。 3 控制極觸發(fā)電流（IGT)，俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。

ABB失壓動(dòng)作模塊的控制開關(guān)是一個(gè)可控硅，交流通過可控硅就會變成半波脈動(dòng)的電流，這個(gè)時(shí)候50HZ的400V電流通過只有200V左右，頻率降低到44，電壓會降低到160V左右，失壓模塊肯定要?jiǎng)幼髁耍话闶耗K的zui低閾值在175左右。

IG模塊ABB可控硅FS200R06KE3，ABB晶閘管 

常見問題：

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