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晶圓劃片-半導體硅片-激光掏圓-誤差小精度高—華諾激光晶圓硅片切割
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北京華諾恒宇光能科技有限公司
店齡5年
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北京市
晶圓劃片 半導體硅片 激光掏圓 誤差小精度高—華諾激光晶圓硅片切割
華諾激光于2002年在北京成立,經(jīng)過十多年的發(fā)展成為智能制造及激光應(yīng)用解決方案權(quán)威供應(yīng)商,是集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)為一體的高新技術(shù)企業(yè),下屬華諾恒宇光能科技有限公司和天津華諾普銳斯科技有限公司兩家公司。
激光隱形切割作為激光切割晶圓的一種方案,很好的避免了砂輪劃片存在的問題。如圖1所示,激光隱形切割是通過將脈沖激光的單個脈沖通過光學整形,讓其透過材料表面在材料內(nèi)部聚焦,在焦點區(qū)域能量密度較高,形成多光子吸收非線性吸收效應(yīng),使得材料改性形成裂紋。每一個激光脈沖等距作用,形成等距的損傷即可在材料內(nèi)部形成一個改質(zhì)層。在改質(zhì)層位置材料的分子鍵被破壞,材料的連接變的脆弱而易于分開。切割完成后通過拉伸承載膜的方式,將產(chǎn)品充分分開,并使得芯片與芯片之間產(chǎn)生間隙。這樣的加工方式避免了機械的直接接觸和純水的沖洗造成的破壞。目前激光隱形切割技術(shù)可應(yīng)用于藍寶石/玻璃/硅以及多種化合物半導體晶圓。
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公司內(nèi)部的業(yè)務(wù)范圍分為:1.微細加工部(精密切割、微小孔加工)、2.激光打標部(包括雕刻、切割)、3.禮品定制部、4.激光焊接部。
晶圓激光切割與傳統(tǒng)的機械切割法相比,這種新的方法有幾個重要的優(yōu)點。首先,這是一步即可完成的、干燥的加工過程。邊緣光滑整齊,不需要后續(xù)的清潔和打磨。并且,激光引致的分離過程產(chǎn)生高強度、自然回火的邊緣,沒有微小裂痕。使用這種方法,避免了不可預料的裂痕和殘破,降低了次品率,提高了產(chǎn)量。
因為裂痕是精確地沿著激光光束所劃出的痕跡, 激光引致的分離可以切劃出非常精確的曲線圖案。我們所做的實驗也證明了無論直線或是曲線,激光切割都能連續(xù)地、精確地完成設(shè)定圖案,重復性可達+50μm。所以激光可以進行曲線圖形的精確切割。激光切割晶圓有速度快、精度高,定位準確等明顯優(yōu)勢。并
晶圓劃片 半導體硅片 激光掏圓 誤差小精度高—華諾激光晶圓硅片切割
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